"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
|
19.11.2003
15:20 |
Intel: радио должно быть цифровым и свободным
Корпорация Intel провела в Москве пресс-конференцию с участием вице-президента подразделения Corporate Technology Group Intel Фрэнка Спиндлера. Журналистов познакомили с . . . |
|
19.11.2003
15:16 |
Новый рейтинг суперкомпьютеров
На проходящей в американском городе Финиксе конференции ISC2003 был официально оглашен новый, 22-й рейтинг суперкомпьютеров Top500 - общепризнанная база для . . . |
|
14.11.2003
13:02 |
Мини суперкомпьютер от IBM
Корпорация IBM заявила, что разработала и построила суперкомпьютер, размером с телевизор, сообщает Reuters. Его построили по технологии производства микрочипов, . . . |
|
14.11.2003
11:51 |
Универсальные солдаты пока не получаются
Как сообщает газета Washington Profile, вооруженные силы США приняли решение упростить новый высокотехнологичный вариант содатской экипировки. Поводом для этого стали . . . |
|
13.11.2003
13:03 |
Scientific American отметил вклад Intel в науку
Журнал Scientific American назвал корпорацию Intel лидером бизнеса в области вычислительной техники, выделив такие последние достижения корпорации, как внедрение . . . |
|
13.11.2003
11:36 |
Пластик вместо кремния
Ученые из Принстонского университета и исследовательского подразделения корпорации Hewlett-Packard HP Labs разработали новую память, позволяющую хранить большие объемы . . . |
|
12.11.2003
15:50 |
Посмотри мне в глаза...
Тестирование специального сканера для определения биометрических параметров глаз и идентификации отпечатков пальцев, который станет основой новой британской . . . |
|
12.11.2003
13:26 |
20 лет компьютерным вирусам
10 ноября исполняется 20 лет термину <компьютерный вирус>. Такое название для вредоносных программ было придумано в 1983 году американцем Фредом Коэном. Учась в . . . |
|
12.11.2003
13:21 |
Мышку встроят прямо в мозг
Как сообщает журнал "Nature", в следующем году в США будет проведена серия экспериментов на людях, которые позволят парализованным больным полноценно пользоваться . . . |
|
12.11.2003
13:17 |
Мышку встроят прямо в мозг
Как сообщает журнал "Nature", в следующем году в США будет проведена серия экспериментов на людях, которые позволят парализованным больным полноценно пользоваться . . . |
|
12.11.2003
13:08 |
Первый в мире видеоплейер с жестким диском
Японская корпорация Sony объявила сегодня о выпуске первого в мире портативного видеоплеера со встроенным жестким диском. Новинка оснащена цветным . . . |
|
10.11.2003
14:34 |
Процессор Intel Pentium 4 помогает бороться с преступностью
Полицейское управление английских городов - Девона и Корнуолла использует возможности технологий Intel для повышения качества обслуживания населения и борьбы с . . . |
|
10.11.2003
14:19 |
Помечено будет все...
От технологии радиочастотной идентификации не скрыться нигде: RFID-метки можно обнаружить в сорочках от Prada, в которых щеголяют бизнесмены делового центра . . . |
|
10.11.2003
12:57 |
Сотовая связь шагает по России
Количество абонентов сотовой связи в России за октябрь 2003 г. увеличилось на 5% и на 31 октября 2003 г. составило 32,3 млн. человек. По данным компании J'son & Partners, лидером по . . . |
|
06.11.2003
13:56 |
Intel: новые транзисторы снизят токи утечки Исследователи корпорации Intel разработали новые материалы, призванные заменить используемые для производства полупроводниковых компонентов уже более 30 лет. Как подчеркивают в Intel, это достижение необычайно важно для отрасли, заинтересованной в снижении токов утечки в условиях, когда в крошечные полупроводниковые кристаллы <упаковывается> все больше и больше транзисторов.
Исследователи Intel объявили о создании транзисторов с рекордными параметрами производительности с использованием нового диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора.
Затвор - это электрод транзистора, управляющий его включением и выключением, а диэлектрик затвора - это тонкая изоляционная пленка под затвором. В совокупности новые материалы позволяют радикально снизить утечки тока, вызывающие сокращение времени автономной работы и порождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия.
<В отрасли производства полупроводников долгие годы считалось, что тепловыделение и токи утечки являются фундаментальной преградой для дальнейшего развития в соответствии с законом Мура, если мы будем продолжать рассчитывать на сегодняшние транзисторные материалы и структуры, - заявил Сунлин Чоу (Sunlin Chou), старший вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group. - Перед отраслью давно стоит трудная задача выявления и интеграции в технологию новых материалов взамен диоксида кремния, подходящего к пределу своих возможностей. Эту задачу иногда сравнивают с созданием <искусственного сердца> для микросхем>.
Все полевые транзисторы содержат изоляционный слой, так называемый диэлектрик затвора, свойства которого оказывают решающее влияние на работу транзистора. В последние 30 лет в качестве основного материала диэлектрика затвора использовался диоксид кремния. Это связано с его технологичностью и возможностью систематического улучшения характеристик транзисторов по мере уменьшения их размеров.
В корпорации Intel толщину слоя диэлектрика затвора из диоксида кремния удалось довести до 1,2 нанометра (нм), то есть всего пяти атомных слоев. Однако по мере уменьшения толщины слоя диоксида кремния возрастает ток утечки через диэлектрик затвора, что приводит к потерям тока и избыточному тепловыделению. Для решения этой важнейшей проблемы корпорация Intel планирует заменить используемый в настоящее время материал более толстым слоем диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, что позволит существенно снизить токи утечки.
Вторая составляющая решения заключается в разработке специального материала затвора, поскольку диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью несовместим с материалами затворов. Сочетание диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и нового сплава для изготовления затвора позволяет радикально снизить токи утечки, сохранив при этом высокие рабочие параметры транзисторов.
Специалисты Intel убеждены, что эти новые открытия можно будет интегрировать в экономичный, массовый производственный процесс, и сегодня переводит исследование, о котором идет речь, на стадию разработки. Транзисторы на основе новых материалов рассматриваются в качестве одного из вариантов для изготовления будущих процессоров Intel уже в 2007 году, в рамках производственного процесса Intel с проектной нормой 45 нанометров.
|
|
05.11.2003
16:09 |
Полупроводниковая революция
Исследователи корпорации Intel разработали новые материалы, призванные заменить используемые для производства полупроводниковых компонентов уже более 30 лет. Это . . . |
|
05.11.2003
14:34 |
Спад ИТ-рынка подходит к концу?
Судя по всем признакам, затянувшийся спад в индустрии высоких технологий наконец-то подходит к концу: к такому выводу пришли в своем новом отчете от 3 ноября . . . |
|
05.11.2003
14:31 |
Первый государственный центр общественного доступа в Интернет открылся в Москве
Как сообщают "Известия" в московской школе N 444 состоялась презентация первого государственного центра общественного доступа к информационным ресурсам. Уже . . . |
|
04.11.2003
13:13 |
На пути к квантовому компьютеру
Японские ученые стали первыми в мире, кому удалось создать твердотельное устройство, в котором реализован один из двух основных элементов, необходимых для . . . |
|
03.11.2003
15:04 |
В работе Форума Intel в Москве приняли участие около 1200 человек
28-29 октября в Москве состоялся Форум Intel для разработчиков аппаратного и программного обеспечения (Intel Developer Forum, IDF). В работе второго по счету российского IDF, . . . |
