Intel объявила о <революции> в полупроводниковой промышленности: в конце 2011 г. корпорация планирует первой приступить к серийному производству процессоров с трехмерными транзисторами, обеспечивающими максимум на 37% более высокую скорость работы.
Intel объявила о готовности первой среди производителей приступить к выпуску полупроводниковых чипов с трехмерными транзисторами. В корпорации данный шаг называют <революцией> за более чем 50-летнюю историю элементарной частицы электронного устройства.
Переход на 3D-структуру является революционным событием, объяснили в Intel, так как до настоящего момента в массовой электронике использовались исключительно планарные структуры. И это касается не только потребительской электроники, но и любых других областей - от медицинского оборудования до космических аппаратов.
<Ученые Intel вновь изобрели транзистор, в этот раз используя третье измерение, - прокомментировал президент и главный исполнительный директор Intel Пол Отеллини (Paul Otellini). - Новая технология позволит задавать темп развития индустрии и расширить горизонты закона Мура>.
В соответствии с законом Мура - названным в честь одного из основателей Intel Гордона Мура (Gordon Moore), - число транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года. Однако с приближением к 22-нм технологической норме следовать данному правилу становится все сложнее, рассказывают в корпорации. Зная о предстоящих трудностях, в 2002 г. инженеры научно-исследовательских лабораторий Intel изобрели технологию Tri-Gate.
Суть предложенной технологии заключается в использовании кремниевой подложки, из которой элементы как бы произрастают вверх, открывая управляющему току целых три поверхности, через которые он может протекать, вместо одного узкого канала в двухмерных элементах. Это снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью блокирует поток в закрытом состоянии, снижая ток утечки и позволяя транзистору очень быстро переходить из одного состояния в другое.
Трехмерные транзисторы Tri-Gate, изготовленные на базе 22-нм техпроцесса, смогут предложить максимум
на 37% более высокую производительность в сравнении с обычными транзисторами, изготовленными на базе 32-нм техпроцесса. При этом чипы с новыми транзисторами смогут потреблять менее половины энергии, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой, без снижения производительности, утверждают в Intel.
В корпорации уверены, что благодаря переходу на новую технологию они смогут следовать закону Мура в течение многих следующих лет. Кроме того, в компании рассчитывают, что технология Tri-Gate позволит существенно снизить энергопотребление чипов Intel Atom для смартфонов, что, наконец, позволит Intel выйти в сегмент карманной электроники.
Технологию трехмерных транзисторов впервые планируется применить в конце 2011 г. в массовом производстве процессоров Intel Core под кодовым названием Ivy Bridge. Эти процессоры будут выпускаться на основе 22-нм нормы. Впоследствии технологию планируется внедрить в линейку Atom.
