IBM представила первый в мире субнанометровый техпроцесс, охарактеризовав новые нормы как 7 Å (ангстрем) или 0,7 нм. Эта технология способна удвоить плотность транзисторов на кристалле по сравнению с 2-нм техпроцессом и позволить размещать на площади размером с человеческий ноготь почти 100 млрд транзисторов.
Однако наименование технологии не соответствует реальной физической толщине затвора транзисторов, которая в 0,7-нм техпроцессе остаётся в пределах 5 нм, позволяя избежать квантового туннелирования. Указанное IBM число описывает условный эквивалент плотности, а не фактический размер элементов кристалла.
Вместо физической миниатюризации инженеры прибегли к вертикальной интеграции 3D-nanostack, укладывая транзисторы «в два этажа». Элементы разных слоёв при этом размещены в шахматном порядке, что помогает распределять и отводить тепло, упрощает подвод контактов и ускоряет прохождение сигналов между уровнями.
По сравнению с 2-нм процессом 0,7-нм техпроцесс обещает снижение энергопотребления на 70 % при той же производительности или рост частоты на 50 % при том же энергопотреблении. Для кристаллов SRAM плотность вырастет на 40 %.
Для производства таких структур применяется High-NA EUV литография совместно со специально разработанными фоторезистами. Модернизированное оборудование должно обеспечить необходимую атомарную точность при выпуске сложных многослойных кристаллов.
IBM давно не производит полупроводники в коммерческих объёмах, поэтому новая технология будет лицензироваться сторонним компаниям (например, японской Rapidus и корейской Samsung). Массовое производство 0,7-нм чипов ожидается как минимум через 5 лет.
По информации
https://mail.google.com/mail/u/0/#inbox/FMfcgzQgMgCVRnDxbdhgWPXtwDdVblKk
Обозрение "Terra & Comp".
