|
|
Статьи Соросовского Образовательного журнала в текстовом формате
Историческая справка. Основные понятия. Электрическое сопротивление. Критическая температура. Сверхпроводники первого и второго рода. Критические магнитные поля. Критический ток. Почему возникает сверхпроводимость? Изотопический эффект. Чем определяется значение критической температуры? Фононный и экситонный механизмы сверхпроводимости.
СВЕРХПРОВОДИМОСТЬН. Б. БРАНДТ
Московский государственный университет
им. М.В. Ломоносова
ВВЕДЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ
В 1911 году Хейке Каммерлинг-Оннес, измеряя температурную зависимость электрического сопротивления R ртути, обнаружил, что при понижении температуры до Тс = 4,1 К значение R резко уменьшается до неизмеримо малой величины [1]. Состояние, в которое переходит ртуть при Т = Тс , было названо сверхпроводящим, а способность веществ переносить электрический ток без потерь - сверхпроводимостью. Температуру, при которой возникает сверхпроводимость, принято называть критической, или температурой перехода в сверхпроводящее состояние, и обозначать Тс . В 1913 году за открытие этого явления Каммерлинг-Оннесу была присуждена Нобелевская премия по физике.
В настоящее время сверхпроводимость обнаружена у 27 элементов Периодической системы Д.И. Менделеева, у 13 элементов обнаруживается сверхпроводимость под действием давления, ею обладают более 1000 сплавов, в том числе, что весьма интересно, сплавы, состоящие из несверхпроводящих компонентов. Сверхпроводимость наблюдается также у ряда органических проводников, легированных углеродных кластеров (фуллеренов - микроскопических образований, имеющих форму футбольного мяча и состоящих из 60 атомов углерода), у широкого класса керамик, которые принято относить к категории высокотемпературных сверхпроводников.
Резкое уменьшение электрического сопротивления в сверхпроводниках долгое время давало повод рассматривать их как "идеальные" проводники с нулевым сопротивлением. В 1933 году было обнаружено изменение магнитных свойств при переходе в сверхпроводящее состояние - эффект Мейсснера-Оксенфельда. При охлаждении в постоянном и не очень сильном магнитном поле, при температуре сверхпроводящего перехода магнитное поле выталкивается из толщи сверхпроводника. Физически это можно объяснить тем, что по поверхности образца начинает течь незатухающий ток, магнитное поле которого полностью компенсирует внешнее магнитное поле. Плотность незатухающего тока, экранирующего внешнее магнитное поле, приблизительно экспоненциально убывает при удалении от поверхности внутрь сверхпроводника. Соответственно, в этой области уменьшается внешнее магнитное поле от значения В0 на поверхности до нуля в глубине. Толщина "токового" слоя характеризуется параметром l, который называется глубиной проникновения магнитного поля в сверхпроводник; l определяется из условия, что площадь под кривой зависимости магнитной индукции от расстояния x от поверхности сверхпроводника равна произведению l на значение магнитной индукции на поверхности В0 :
где ось x нормальна к поверхности (на поверхности x = 0). Введенный таким образом параметр l позволяет заменить экспоненциально размытую область, в которую проникает внешнее магнитное поле, ступенчатым распределением: на расстоянии l поле равно значению В0 , а при x > l - нулю, что удобно для расчетов. Величина l изменяется в пределах от сотен до тысяч ангстрем и возрастает, обращаясь в бесконечность при Т $ Тс , то есть поле полностью проникает в образец. Таким образом, для всех сверхпроводников существует область магнитных полей, в которой одновременно
R = 0,
B = 0.
Так как внутри вещества магнитная индукция В = m0(H + M) = mm0H, то формально можно считать, что при эффекте Мейсснера-Оксенфельда (В = 0) у сверхпроводников, как и у "идеальных" диамагнетиков, намагниченность М = - Н, а магнитная проницаемость m = 0. Другими словами, сверхпроводники являются одновременно и сверхдиамагнетиками.
Следует обратить внимание, что эффект Майсснера-Оксенфельда - это принципиально новое явление, которое не описывается классической электродинамикой. Как уже говорилось, условие (3) физически означает, что по поверхности образца начинает течь незатухающий ток. Ток проводимости в электродинамике определяется сторонними силами (химические источники тока, источники э.д.с., э.д.с. индукции и т.д.). В эффекте Мейсснера сторонние силы отсутствуют. Поэтому возникновение упорядоченного движения электронов при эффекте Мейсснера можно рассматривать как пример самоорганизации: возникновения упорядоченного движения из хаотического. Под действием каких сил оно возникает? Строго говоря, этот экранирующий ток нельзя отождествить с током проводимости, и поэтому его следует называть мейсснеровским.
Вскоре после открытия сверхпроводимости было обнаружено, что сверхпроводящее состояние разрушается достаточно сильным магнитным полем и током. Значения критических магнитных полей (Нс) и токов (Ic) возрастают при понижении температуры ниже Тс и определяют область, в которой существует сверхпроводимость. Параметры Тс , Нс и Ic являются основными характеристиками сверхпроводников, определяющими возможности их практических приложений.
В общем случае переход в сверхпроводящее состояние можно классифицировать как частный случай фазового перехода беспорядок-порядок при понижении температуры. Как известно, все фазовые переходы этого типа происходят в результате конкуренции энергии теплового движения kТ (k = 1,38 " 10- 23 Дж/К - константа Больцмана) и энергии взаимодействия между частицами U(r). Силы, связанные с энергией взаимодействия, стремятся упорядочить систему и привести ее в состояние с минимальной потенциальной энергией, а тепловое движение - разупорядочить. Если |U(r)| < kT, то система находится в разупоряд2оченном состоянии (например, парамагнитное состояние для ферромагнетика при значении Т больше температуры Кюри); если |U(r)| > kT, то в упорядоченном. Таким образом, фазовый переход происходит при характерной для данного взаимодействия критической температуре Тс ~ |U(r)| / k. С этой точки зрения температура, при которой возникает сверхпроводимость, определяет энергию упорядочения электронов при переходе в сверхпроводящее состояние.
Так как сверхпроводимость наблюдается (пока?) при температурах, существенно ниже комнатных (Тс < 300 К), отрицательная потенциальная энергия, приводящая к сверхпроводящему упорядочению, не превышает ~ 3 " 10- 2 эB. Эта энергия мала по сравнению с характерными энергиями носителей тока: кинетической энергией и положительной потенциальной энергией кулоновского отталкивания, составляющих несколько электрон-вольт.
Отрицательная потенциальная энергия соответствует притяжению электронов друг к другу. Вопрос о том, каким образом в системе электронов возникает притяжение, то есть вопрос о природе сверхпроводимости, представлял собой загадку на протяжении более четырех десятилетий.
Микроскопическая теория сверхпроводимости была создана только в 1957 году Джоном Бардиным, Леоном Купером, Дж. Робертом Шриффером. Оригинальный метод решения был предложен Н.Н. Боголюбовым (1958 год). В 1972 году Бардину, Куперу, Шрифферу за создание этой теории (ее называют теорией БКШ) была присуждена Нобелевская премия.
Вскоре, в 1962 году, было теоретически предсказано и обнаружено экспериментально принципиально новое явление - протекание постоянного и возникновение переменного сверхпроводящего тока через тонкие вакуумный или диэлектрический зазоры, разделяющие два сверхпроводника. За теоретическое предсказание этих эффектов Брайану Д. Джозеффсону в 1973 году была присуждена Нобелевская премия.
Последняя (последняя ли?) Нобелевская премия за работы в области сверхпроводимости была присуждена Й.Г. Беднорцу и К.А. Мюллеру в 1987 году за открытие нового класса высокотемпературных сверхпроводников.
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СВЕРХПРОВОДНИКОВ
Никакими экспериментальными методами принципиально нельзя доказать, что какая-либо величина, в частности электрическое сопротивление, равна нулю. Можно показать лишь, что она меньше некоторой величины, определяемой точностью измерений.
Наиболее точный метод измерения малых сопротивлений заключается в измерении времени затухания тока, индуцированного в замкнутом контуре из исследуемого материала. Уменьшение во времени энергии тока LI2 /2 (L - коэффициент самоиндукции контура) расходуется на джоулево тепло [2]:
.
Отсюда
;
интегрируя, находим
(I0 - значение тока при t = 0, R - сопротивление контура).
Ток экспоненциально затухает во времени, а скорость затухания (при заданном L) определяется величиной электрического сопротивления.
Для малых R формулу (5) можно записать в виде
;
здесь dI - изменение тока за время Dt. Эксперименты, проведенные с использованием тонкостенных сверхпроводящих цилиндров с предельно малыми значениями L, показали, что сверхпроводящий ток сохраняет постоянное значение (с точностью измерений) в течение нескольких лет. Отсюда следовало, что удельное сопротивление в сверхпроводящем состоянии меньше 4 " 10- 25 Ом м, то есть более чем в 1017 раз меньше сопротивления меди при комнатной температуре. Поскольку возможное время затухания сравнимо со временем существования человечества, можно считать, что R на постоянном токе в сверхпроводящем состоянии равно нулю.
Таким образом, сверхпроводящий ток - это единственный в природе реально существующий пример вечного движения в макроскопическом масштабе!
При R = 0 разность потенциалов V = IR на любом отрезке сверхпроводника, а следовательно, и электрическое поле Е внутри сверхпроводника равны нулю. Электроны, создающие ток в сверхпроводнике, движутся с постоянной скоростью, не рассеиваясь на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки и ее неоднородностях. Заметим, что если бы Е не было равно нулю, электроны, переносящие сверхпроводящий ток, ускорялись бы неограниченно и ток мог бы достигать бесконечно большого значения, что физически невозможно. Чтобы создать сверхпроводящий ток, нужно только ускорить электроны до определенной скорости направленного движения (затратив при этом энергию), а далее ток сохраняет постоянное значение, не заимствуя энергию от внешнего источника (в отличие от тока в обычных проводниках).
Ситуация меняется, если к сверхпроводнику прикладывается переменная разность потенциалов, создающая переменный сверхпроводящий ток. В течение каждого периода ток меняет направление. Следовательно, в сверхпроводнике должно существовать электрическое поле, которое периодически замедляет сверхпроводящие электроны и ускоряет их в противоположном направлении. Так как на это расходуется энергия от внешнего источника, электрическое сопротивление на переменном токе в сверхпроводящем состоянии не равно нулю. Однако, поскольку масса электрона очень мала, потери энергии при частотах меньше 1010 - 1011 Гц ничтожны.
Обратим внимание, что при наличии эффекта Мейсснера (равенства нулю магнитной индукции внутри материала сверхпроводника) сверхпроводящий ток течет только в тонком слое на поверхности, толщина которого определяется глубиной проникновения l магнитного поля в сверхпроводник, а при высоких частотах, когда глубина поверхностного слоя, в который проникает переменное электромагнитное поле, становится меньше l, - в еще более тонком слое.
КРИТИЧЕСКАЯ ТЕМПЕРАТУРА
Рассмотрим, в каких пределах меняется Тс . У элементарных сверхпроводников, включая элементы, обнаруживающие сверхпроводимость при высоких давлениях, минимальное значение Тс имеет вольфрам: Тс = 0,015 К, максимальное - ниобий: Тс = 9,25 К. У сплавов Тс имеет существенно более высокие значения: V3Ga - 14,5 K, V3Si - 17 K, Nb3Sn - 18 K, Nb3Al0,8Ge0,2 - 20,7 K. Рекордное значение Тс до 1986 года имело соединение Nb3Ge - 23,2 K. У недавно синтезированных углеродных кластеров - фулеренов, легированных калием, K3C60 , Тс = 20 К. При легировании фулеренов цезием и рубидием (CsC60 и PbC60) Тс повышается до 30 К.
Интересно отметить, что до 1986 года существовало мнение, что высокотемпературная сверхпроводимость (при температурах выше температуры кипения жидкого азота) невозможна. Поэтому открытие Беднорцем и Мюллером в 1986 году сверхпроводимости у керамик La2 - xBaxCuО4 c Тс © 35 K и La2 - xSrxCuO4 c Тс © 40 K явилось настоящей сенсацией. Вскоре после этого открытия были синтезированы керамики YBa2Cu3O7 - x c Тс © 90 K, Bi2Sr2CaCu2O8 c Тс © 110 K, Tl2Ba2CaCu2O8 c Тс © 125 K. В самое последнее время синтезировано соединение HgBa2Ca2Cu3O8 + x с Тс © 135 К.
Безусловно, открытие сверхпроводников с такими значениями Тс является выдающимся достижением, так как для охлаждения сверхпроводящих систем стало возможным использовать дешевый и относительно легко доступный жидкий азот вместо дорогостоящего гелия. Тем не менее все приведенные значения Тс существенно ниже комнатной температуры, и поэтому чрезвычайно актуальна возможность синтеза новых сверхпроводников с еще более высокими Тс . Поиском высокотемпературных сверхпроводников заняты сейчас многие лаборатории мира.
После открытия высокотемпературной сверхпроводимости и до настоящего времени в литературе появляются сообщения о наблюдении сверхпроводимости при температурах выше 140 К и даже при комнатной температуре: около 310 К (около + 40?С !). Правда, авторы отмечают, что сверхпроводящие фазы, обладающие такими Тс , являются термодинамически неустойчивыми и распадаются при многократном понижении и повышении температуры. Что можно сказать по этому поводу? По-видимому, предельно высоким значением Тс = 135 К при нормальных условиях обладает система HgBa2Ca2Cu3O8 + x . Это термодинамически устойчивое значение. Очень интересно, что если это соединение подвергнуть всестороннему сжатию, то его Тс обратимо повышается до значения ~ 160 К ! Это указывает на возможность синтеза сверхпроводников с такими Тс . Насколько реально будет получить термодинамически устойчивые сверхпроводники с более высокими Тс , сказать трудно, хотя получение метастабильных фаз с Тс © 300 К является, по-видимому, возможным и представляет, с моей точки зрения, большой интерес, так как свидетельствует о принципиальной возможности существования сверхпроводимости при таких температурах.
СВЕРХПРОВОДНИКИ ПЕРВОГО И ВТОРОГО РОДА
Сверхпроводники, в зависимости от их поведения во внешнем магнитном поле Н, разделяются на два типа: сверхпроводники 1-го и 2-го рода.
Как указывалось выше, у всех сверхпроводников существует область не очень сильных полей, в которой индукция внутри сверхпроводника равна нулю. В этой области магнитный момент М линейно зависит от Н:
M = - H.
При дальнейшем увеличении поля зависимости М от Н у сверхпроводников 1-го и 2-го рода принципиально отличаются (рис. 1): у сверхпроводников 1-го рода при критическом значении магнитного поля Нс (поле Нс называется термодинамическим критическим полем) идеальный диамагнетизм исчезает и образец (на рис. 1 приведены зависимости М от Н для образцов, имеющих форму длинных тонких цилиндров, ориентированных вдоль поля) полностью переходит в нормальное состояние. К сверхпроводникам 1-го рода относятся все чистые сверхпроводящие элементы и некоторые их сплавы стехиометрического состава.
У сверхпроводников 2-го рода линейная зависимость М от Н нарушается при значении магнитного поля Нс1 , называемого первым критическим полем. Далее М монотонно уменьшается и обращается в нуль при Нс2 , получившем название 2-го критического поля. В области между Нс1 и Нс2 средняя магнитная индукция внутри сверхпроводника не равна нулю. Внешнее магнитное поле в этой области начинает проникать внутрь сверхпроводника в виде тонких нитей магнитного потока (рис. 2) - вихрей Абрикосова. Каждый вихрь имеет нормальную (не сверхпроводящую) сердцевину диаметром 2x (см. дальше раздел "Почему возникает сверхпроводимость?"), через которую проходит магнитное поле. Вокруг сердцевины в слое толщиной l текут вихревые сверхпроводящие токи js , экранирующие области с В = 0. Магнитный поток, пронизывающий каждый вихрь, имеет строго определенное значение F0 = 2,07 " 10- 7 Вб (квант потока).
При увеличении Н число вихрей возрастает, расстояние между ними уменьшается. При Н = Нс2 нормальные сердцевины вихрей соприкасаются и объемная сверхпроводимость исчезает. Состояние, в котором находится сверхпроводник в области Нс1 < H < Hc2 , называется смешанным состоянием (оно представляет смесь нормальной и сверхпроводящей фаз).
К сверхпроводникам 2-го рода относятся большое число сплавов и все высокотемпературные сверхпроводники.
КРИТИЧЕСКИЕ МАГНИТНЫЕ ПОЛЯ
Кривые зависимостей критических полей от температуры для сверхпроводников 1-го и 2-го рода изображены на рис. 3а и 3б. Для сверхпроводника 1-го рода кривые Нс(Т ) имеют вид парабол. У сверхпроводников 2-го рода в области полей 0 < H < Нс1 значения R и В равняются нулю. В полях Нс1 < H < Hc2 образец находится в смешанном состоянии ( 0 < В < m0H ), но при этом сопротивление образца остается равным нулю.
При Hc2 объемная сверхпроводимость разрушается, но сохраняется поверхностная сверхпроводимость в тонком слое на поверхности, которая разрушается в поле Нс3 = 1,69 Hc2 .
У сверхпроводников 1-го рода Нс(0) (при Т = 0) не превышают 105 А/м.
У сверхпроводников 2-го рода Hc2(0) достигают огромных величин, что позволяет создавать на их основе сверхпроводящие системы для создания сильных магнитных полей в больших объемах без затраты энергии на их поддержание. Hc2(0) имеют следующие значения: у Nb3Sn - 1,7 " 107 А/м; V3Ga - 2 " 107 А/м; Nb3Al - 2,6 " 107 А/м; Nb79(Al73Ge 27)21 - 3,4 " 107 А/м; PbMo6S8 - 4,8 " 107 А/м; керамики с Тс = 100 К - более 109 А/м!
КРИТИЧЕСКИЙ ТОК
У сверхпроводников 1-го рода критический ток Ic , при котором сверхпроводимость разрушается, совпадает с током, создающим на поверхности образца магнитное поле Н = Нс (правило Сильсби). Например, для цилиндрического образца радиуса r магнитное поле на его боковой поверхности [3] связано с текущим по образцу током I соотношением
Отсюда по правилу Сильсби
Ic = 2pHcr.
Возьмем Нс = 5 " 104 А/м и r = 0.1 см. Для такого образца Ic = 315 A. Если учесть, что ток течет в поверхностном слое толщиной l (для Pb l © 400 Б = 4 " 10- 8 м), то плотность сверхпроводящего критического тока
Для сверхпроводников 2-го рода правило Сильсби неприменимо. Критический ток в сверхпроводниках 2-го рода необычайно чувствителен к структуре образца и у одного и того же материала может меняться на несколько порядков величины.
ПОЧЕМУ ВОЗНИКАЕТ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ?
Металл представляет собой систему колеблющихся положительно заряженных ионов, образующих кристаллическую решетку, и систему относительно свободных, как говорят, "коллективизированных" электронов. Поскольку электроны имеют собственный механический момент (спин), равный 1/2, по принципу Паули в каждом квантовом состоянии могут находиться только два электрона с противоположно направленными спинами. А так как концентрация n коллективизированных электронов в металлах велика (n ~ 1023 - 1024 см- 3) , верхним заполненным энергетическим состояниям соответствует очень большая кинетическая энергия eF = /2 © (1 - 10) эB. Энергетический спектр электронов, то есть схема расположения уровней энергии, которые могут занимать электроны, квазинепрерывен (уровни расположены очень близко один к другому, рис. 4а). В некотором смысле, электроны ведут себя, как жидкость, заполняющая сосуд: чем больше жидкости, тем выше ее уровень. Поэтому электроны в металле хаотически движутся не со скоростями, определяемыми энергией теплового движения kТ, а с "космическими" скоростями VF ~ 108 см/с [4], соответствующими энергии eF [4]. Между электронами действуют силы кулоновского отталкивания, которые частично экранируются положительным зарядом ионов.
В электрическом поле Е электроны ускоряются в направлении поля и возникает ток. Плотность тока j = neVE определяется концентрацией электронов n, их зарядом е = 1,6 " 10- 19 Кл и средней скоростью VE направленного (упорядоченного) движения под действием электрического поля Е. Ускоренные электроны, то есть электроны, у которых скорость VE увеличивается в поле Е, рассеиваются на тепловых колебаниях решетки, примесях и других неоднородностях, передавая решетке приобретенную в электрическом поле кинетическую энергию:
которая выделяется в виде джоулева тепла (стрелки на рис. 4а). После рассеяния электроны возвращаются к своему начальному значению энергии eF . Поскольку электроны в металлах никак не связаны между собой, а энергетический спектр квазинепрерывен, любые сколь угодно малые значения энергии, приобретенные в Е, могут при рассеянии передаваться решетке.
Отсутствие электрического сопротивления в сверхпроводящем состоянии указывает на то, что по каким-то причинам электроны перестают рассеиваться кристаллической решеткой. Речь идет о токах 0 < js < jс = neVc , а следовательно, скоростях Vs направленного движения сверхпроводящих электронов 0 < Vs < Vc и соответственно изменениях энергии 0 < mVFVs < mVFVc . Это означает, что в энергетическом спектре сверхпроводника возникает область энергий над энергией eF , шириной ~ mVFVc , в которой электроны не рассеиваются решеткой (рис. 4б). Электроны начинают рассеиваться лишь после того, как увеличение кинетической энергии их движения mVFVs становится больше mVFVc . Исходя из самых общих соображений, можно предположить, что рассеяния не происходит потому, что при таких значениях энергии оно энергетически невыгодно, то есть приводит к увеличению общей энергии (кинетической и потенциальной) коллективизированных электронов. Если рассматривать только кинетическую энергию (как в нормальных металлах), то при рассеянии она всегда уменьшается и, таким образом, процессы рассеяния энергетически выгодны при любых значениях энергии электронов.
Чтобы они стали невыгодны (и не происходили бы), нужно, чтобы электроны в области eF < e < mVFVc обладали отрицательной потенциальной энергией, то есть притягивались бы друг к другу, и эта энергия исчезала бы при рассеянии. Обозначим модуль этой энергии D. Чтобы рассеяние в указанной области было энергетически невыгодно, D должно быть равно mVFVc , то есть
D = mVFVc.
Рассмотрим рассеяние электрона с энергией eF + e' (точка А на рис. 4б). При рассеянии его кинетическая энергия уменьшится (левая красная стрелка), но одновременно возрастет потенциальная энергия на D (правая красная стрелка) и суммарная энергия увеличится. Рассеяние становится энергетически выгодным только при значениях e' > D.
Теперь следует ответить на наиболее сложный вопрос: как в системе отрицательно заряженных частиц возникают силы притяжения?
В изолированной электронной системе такие силы возникнуть не могут. Для их возникновения необходимо участие другой системы, с которой электроны могут взаимодействовать. Существо этого эффекта можно проиллюстрировать на следующей наглядной модели. Положим на установленную горизонтально упругую мембрану тяжелый шар. Под действием силы тяжести мембрана прогнется. Если теперь положить на мембрану второй шар, то пока расстояние между шарами велико, никаких сил взаимодействия между ними не возникает. Но как только один шар попадает в область упругой деформации мембраны, создаваемой вторым шаром (оба шара скатываются в одну лунку), на шары со стороны мембраны начинают действовать силы, стремящиеся сблизить шары до касания. При соприкосновении шаров энергия системы "мембрана-шары" становится минимальной. Величина "силы притяжения" определяется величиной изменения потенциальной энергии второго шара в результате упругой деформации мембраны, создаваемой его партнером. Чем мягче мембрана, тем сильнее шары связываются друг с другом. Заметим, что если мембрана абсолютно жесткая (не деформируемая), то шары с мембраной не взаимодействуют и сил притяжения не возникает.
Допустим теперь, что один шар движется, а создаваемая им деформация (например, в результате инерционности мембраны) отстает во времени и следует за шаром на некотором расстоянии. В этом случае потенциальная энергия системы будет минимальна, когда второй шар движется за первым на определенном расстоянии, находясь в создаваемой им лунке. Ситуация выглядит так, как будто один шар коррелирует движение второго.
Предположим, наконец, что по мембране хаотически движется несколько шаров и их кинетическая энергия такова, что они не локализуются в деформационных лунках. Однако каждый раз, когда какой-нибудь из шаров проходит через лунку, созданную одним из его коллег, его потенциальная энергия понижается на то время, пока он в ней находится. Величина общего понижения потенциальной энергии системы таких движущихся шаров будет, очевидно, определяться величиной изменения потенциальной энергии при каждом попадании в лунку и частотой таких попаданий.
Аналогичный процесс происходит при взаимодействии электронов с ионной решеткой (рис. 5). Электрон, пролетая между соседними ионами, притягивает ионы к себе (на рисунке штриховыми линиями обозначено положение смещенных ионов), в результате чего возникает поляризация решетки - область сжатия ионов, обладающая избыточным положительным зарядом. Время поляризации определяется периодом колебания атомов, то есть происходит за время T0 /4 © 10- 13с (при частоте колебания атомов n0 ~ 1013 с- 1). За это время электрон удалится на расстояние x ~ VFТ0 /4 = 108 " 10- 13 = 10- 5 см, то есть на ~ 1000 Б. Когда другой электрон попадает в область поляризации (потенциальную яму), созданную первым электроном, его потенциальная энергия понижается. Можно также считать, что оба электрона притягиваются к области избыточного (поляризационного) положительного заряда и если силы притяжения к нему превышают силы экранированного кулоновского отталкивания этих электронов, возникает результирующая сила притяжения. Такое взаимодействие принято называть электрон-фононным. (Фононы - квазичастицы, описывающие энергетический спектр колебаний кристаллической решетки.)
В 1956 году Куппер показал, что при наличии сколь угодно слабого притяжения между электронами в металле могут образоваться связанные состояния пар электронов, получившие название купперовских пар. Расстояние x ~ 1000 Б, на котором взаимодействуют два электрона, называется длиной корреляции (или длиной когерентности); оно определяет размер пар. Феномен Куппера стал ключом к пониманию природы сверхпроводимости и созданию теории БКШ. В самом деле, каждый электрон в паре Куппера не может рассеяться без того, чтобы пара не разрушилась. Но для того, чтобы разрушить пару, нужно преодолеть энергию связи, которую обычно обозначают 2D (D на каждый электрон).
Таким образом, критическая скорость Vc в формуле (11) определяется энергией связи пар:
.
Выше говорилось о том, что "энергия упорядочения" при переходе в сверхпроводящее состояние соответствует энергии теплового движения, то есть D ~ kТс . Подставляя в (12) D = kТс для Тс = 10 К , VF = 108 см/с, m = 9,1 " 10- 28 г, находим критическую скорость сверхпроводящих электронов: Vc © (103 - 104) см/с.
При концентрации электронов n = 1023 см- 3 критической скорости Vc соответствует плотность критического тока
jc = enVc © (107 - 108) А/см2.
Полученное значение хорошо согласуется с рассчитанным по правилу Сильсби (10).
ЧЕМ ОПРЕДЕЛЯЕТСЯ ЗНАЧЕНИЕ Тс ?
В теории БКШ, а также при любом механизме сверхпроводимости, в котором участвуют "пары" электронов, величина Тс определяется энергией связи пар 2D. В БКШ 2D, в свою очередь, определяется поляризуемостью кристаллической решетки при электрон-фононном взаимодействии, то есть, грубо говоря, величиной x смещения ионов из положения равновесия (рис. 5).
Значение x зависит от коэффициента силы упругости b, удерживающей ион в положении равновесия, и его массы М. b и М определяют собственную частоту колебаний иона
w0 = 2pn0 = (b / М)1/2.
Величину x можно оценить, рассматривая ион как маятник, смещающийся под действием импульса силы [7]: амплитуда смещения иона Dx ~ (Мb)- 1/2. Таким образом,
Тс ~ 2D ~ x ~ (Мb)- 1/2.
При М ?, Тс 0. Обращение М в ? соответствует в рассмотренной выше модели абсолютно жесткой мембране, когда взаимодействие между шарами исчезает. Зависимость Тс от массы атомов, обнаруженная экспериментально еще до создания теории БКШ, называют изотопическим эффектом:
Тс ~ M - a.
Для сверхпроводников 1-го рода a © 1/2.
Электрон-фононное (поляризационное) взаимодействие в теории БКШ - взаимодействие с запаздыванием. Минимальное время взаимодействия определяется временем поляризации решетки (периодом колебания ионов T0 = 1/ n0 ~ 10- 13 с). Это время и скорость движения электронов VF определяют длину корреляции (размер пар) x ~ VFT0 . Величина поляризационного смещения атомов при взаимодействии с электронами определяется величиной (Мb)- 1/2. Поэтому изотопический эффект характерен для любого взаимодействия, в котором участвуют (смещаются) тяжелые атомы решетки.
У металлов электрон-фононное взаимодействие не может быть достаточно сильным. Верхняя оценка критической температуры дает величину порядка Тс © 25 К, что хорошо согласуется со значениями Тс у металлических сверхпроводников.
В принципе электрон-фононное взаимодействие может быть более сильным у многокомпонентных соединений со специальной кристаллической структурой, например квазиодномерных или квазидвумерных (слоистых) структур, которыми являются легированные фулерены и керамические высокотемпературные сверхпроводники.
Я думаю, что электрон-фононное взаимодействие (прямое или в несколько модифицированном виде) в таких структурах может приводить к более высоким (чем у классических металлов) значениям Тс . Основным критерием наличия такого взаимодействия является изотопический эффект.
Отсутствие изотопического эффекта указывает на возможность существования других механизмов взаимодействия. Например, если поляризация осуществляется не путем смещения тяжелых ионов, а путем смещения электронов в поляризующихся комплексах атомов, примыкающих к проводящим слоям (так называемый экситонный механизм сверхпроводимости), взаимодействие будет осуществляться без запаздывания, а величина "поляризационного" положительного заряда может быть сильно увеличена за счет того, что вместо тяжелого иона здесь смещается легкий электрон с массой m ! М. Поэтому отсутствие (малость) изотопического эффекта у высокотемпературных сверхпроводников с Тс > 100 K указывает, скорее всего, на существование в этих веществах иного (а не электрон-фононного) взаимодействия, приводящего к образованию пар и сверхпроводимости. Однако следует иметь в виду, что этот вопрос остается пока открытым.
ЛИТЕРАТУРА
1. Буховцев Б.Б., Климонтович Ю.Л., Мякишев Г.Я. Физика, учебник для 9 класса средней школы. М.: Просвещение, 1986.
2. Там же. Гл. XII, п. 97.
3. Элементарный учебник физики / Под ред. Г.С. Ландсберга. М.: Наука, 1986. Т. II. Гл. XII, п. 126.
4. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. Энергетические спектры электронов и фононов в металлах. М.: Московский ун-т, 1980. Ч. 11. Гл. 1, п. 1.
5. Буховцев Б.Б., Климонтович Ю.Л., Мякишев Г.Я. Физика, учебник для 9 класса средней школы. М.: Просвещение, 1986. Гл. XII, п. 89.
6. Там же. Гл. IX, п. 56.
7. Мякишев Г.Я., Буховцев Б.Б. Физика, учебник для 10 класса средней школы. М.: Просвещение, 1987. Гл. I.
