Новости "Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
Интересный способ получения карты распределения электронной плотности в двумерном электронном газе продемонстрировали американские ученые из Harvard University. Использовался двумерный газ в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Расщепленный затвор формировал точечный квантовый контакт. Над структурой перемещался щуп сканирующего зондового микроскопа. При подаче на щуп отрицательного напряжения под ним в двумерном газе образовывалась область обеднения размером 100нм. Эта величина близка к фермиевской длине волны электронов в газе. При протекании тока электроны когерентным образом рассеивались на пятне обеднения. Поскольку длина свободного пробега очень велика, это рассеяние приводило к изменению тока через точечный контакт в зависимости от положения щупа. Если каждому положению щупа поставить в соответствие величину тока, то получается двумерная пространственная интерференционная картина, в которой расстояние между максимумами соответствует половине фермиевской длины волны. Поскольку фермиевская длина волны напрямую связана с электронной плотностью, то интерференционную картинку можно перевести в распределение плотности. Регулировать плотность электронов в газе можно с помощью электрода затвора. Чем больше подаваемое на него отрицательное напряжение, тем меньше плотность электронов газе.
В.Вьюрков (ФТИАН)
Четыре варианта измерений, соответствующие различной плотности электронного газа, т.е. различному напряжению на затворе.
Appl.Phys.Lett., 2002 80 4431
