МОЗУ - это магнитные энергонезависимые
оперативные запоминающие устройства. Первому,
сумевшему заменить сегодняшнюю полупроводниковую
оперативную память на энергонезависимую магнитную,
сулят баснословные барыши. Такую возможность
предоставляют фирмам приборы на эффекте
гигантского магнитосопротивления. В гонку
включились ведущие мировые компьютерные
компании.
Изготовленные компанией IBM первые
образцы МОЗУ имеют следующие параметры:
время записи 2.3нс (это в 1000 раз и в 20
раз меньше, чем у энергонезависимых
полупроводниковых флэш-ЗУ и у
сегнетоэлектрических ЗУ соответственно);
время выборки 3нс (это в 20 раз
быстрее, чем у полупроводниковых динамических
ОЗУ).
Кроме того, МОЗУ имеют высокую
радиационную стойкость. У полупроводниковых ОЗУ,
по оценкам, интенсивность случайных сбоев
возрастает при масштабировании схемы ниже 100нм.
В настоящее время только крупные
изготовители приборов добились более или менее
существенных успехов в разработке МОЗУ. Фирма
Motorola готовится к массовому выпуску 4Мб МОЗУ в 2004
году. Фирма IBM изготовила тестовые образцы 1Мб
МОЗУ и планирует выпустить в 2004 году
коммерческую версию 256Мб МОЗУ, изготовленную по
0.13мкм технологии.
В разработку магнитных ОЗУ включилась
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC). Совместно с
государственным предприятиям Electronics Research and Service
Organization TSMC будет разрабатывать структуру
базовой ячейки и процессы травления и осаждения
тонких магнитных пленок. Детали совместного
проекта (срок запуска опытного или массового
производства) умалчиваются, известно лишь, что
структура ячеек и тестовые схемы,
разрабатываются с нуля, без использования
лицензий. Тестовые структуры - магнитные
туннельные переходы, будут изготавливаться по
0.18мкм технологии. Магнитный туннельный переход
представляет собой многослойный сэндвич из
диэлектриков и магнитных материалов. Поскольку
толщина диэлектрического слоя должна быть не
более 10A, его формирование между двумя
ферромагнитными слоями на 200мм пластине - задача
непростая. Но коль скоро этот тип сэндвичевой
структуры обещает заманчивые функциональные и
параметрические преимущества, технологи
вынуждены принять этот вызов.
http//www.siliconstrategies.com/printableArticle?doc_id=OEG20020322S0028
26.03.02
ПЕРСТ
