НОВОСТИ
"РУССКОГО ПЕРЕПЛЕТА"

21.08.2018
10:19

К 2025 году на робомобили будет приходиться 40 % новых легковых машин

21.08.2018
10:15

Ни гелия, ни воздуха: вакуум поможет на треть увеличить ёмкость жёстких дисков

20.08.2018
23:58

Ученые предупредили о климатической угрозе в Сибири

20.08.2018
23:55

Климатологи выяснили, почему дожди и жара стали "бесконечными"

20.08.2018
23:49

Геологи назвали новую причину коллапса империи майя

20.08.2018
23:25

Ученые выяснили, когда возник предок всех живых существ на Земле

20.08.2018
20:34

Большой разрыв: почему не надо бояться конца Вселенной

19.08.2018
23:25

Lockheed Martin представила жилой модуль для космических колоний

19.08.2018
23:16

Ученые обнаружили скопление галактик, которое «все время было на виду»

19.08.2018
23:11

Астрономы идентифицировали одни из самых древних галактик Вселенной

19.08.2018
21:12

Новый механизм роста черных дыр звездных масс

19.08.2018
21:08

Во Вселенной широко распространены планеты, богатые водой, выяснили ученые

19.08.2018
21:04

Первые наблюдения в самом высокочастотном диапазоне радиообсерватории ALMA

19.08.2018
20:58

Найдены следы древней разрушительной катастрофы

19.08.2018
10:24

Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер

Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его переключения.

В качестве лазера предложено использовать квантово-каскадный лазер. Данный тип полупроводникового лазера работает на эффекте перехода электронов между слоями гетероструктуры полупроводника. Иначе говоря, транзистор является «естественной средой» для квантово-каскадного лазера. Кроме этого в транзистор встроена комплексная система переключающих механизмов, которая одновременно переключает транзистор из включенного состояния в выключенное и обратно. Увы, подробностями источник не располагает.

Лазер и «переключающие механизмы» призваны решить одну фундаментальную трудность для мельчающих транзисторов. Для снижения потребления и для повышения скорости переключения транзисторов по мере снижения масштаба норм технологических процессов необходимо снижать напряжение питания до пороговых значений и крайне желательно снизить сам порог переключения, который при обычных условиях уменьшить ниже строго определённого значения просто невозможно.

В схемотехнике полевых транзисторов за это отвечает величина или крутизна допорогового размаха (subthreshold swing). В свою очередь, чтобы допороговый размах был как можно меньше, а крутизна больше, необходимо повышать плотность тока открытия транзистора и понижать плотность тока его закрытия. Это крайне положительно скажется на уменьшении допорогового размаха напряжения, в чём главную роль обещает сыграть встроенный в структуру полевого транзистора лазер.

По информации https://3dnews.ru/news/974178?ext=subscribe&source=subscribeRu

Обозрение "Terra & Comp".

18.08.2018
22:46

В МГУ уточнили модели циркуляции атмосферы Земли

18.08.2018
10:54

За что Ломоносов набил морду академикам?

16.08.2018
21:48

Техническая ошибка помогла обнаружить самое крупное скопление экзопланет

16.08.2018
17:14

Бледное свечение между галактиками может быть признаком темной материи

16.08.2018
17:09

Гамма-всплески могут обладать свойством зеркального обращения времени