Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
|
|
10.02.2015
17:56 |
О пользе мобильных приложений для госучреждений |
|
10.02.2015
16:44 |
""Не виноватая я..."" - новое в литературном обозрении Соломона Воложина |
|
10.02.2015
09:05 |
Глава Роскосмоса сформировал рабочую группу, чтобы актуализировать план развития пилотируемой космонавтики |
|
10.02.2015
09:03 |
Китай завершил наземные испытания новейшей ракеты-носителя "Чанчжэнь-5" |
|
10.02.2015
09:01 |
Китайский космический аппарат завершил тестовые маневры на окололунной орбите |
|
10.02.2015
00:22 |
Найден мальчишка
|
|
09.02.2015
23:51 |
"ПАТРИОТИЧЕСКИЕ РАЗМЫШЛИЗМЫ" - новое в обозрении Валерия Куклина "Литература и мы" |
|
09.02.2015
23:37 |
Я НЕ ЛЮБЛЮ ТАКУЮ УКРАИНУ |
|
09.02.2015
15:10 |
Всеобъемлющий Интернет ставит заслон раку груди |
|
08.02.2015
22:35 |
Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.
Силицен — это двумерное соединение кремния, подобное графену. Несмотря на потенциальную совместимость с существующей полупроводниковой техникой, получение элементов на основе силицена представляет собой крайне трудоёмкий процесс из-за сложности и нестабильности материала при воздействии воздуха.
Для получения силиценовых транзисторов толщиной в один атом американские учёные разработали новую методику. На первом этапе в вакуумной камере было осуществлено осаждение атомов кремния из разогретого пара с формированием на серебряной плёнке силиценового слоя. Далее поверх него исследователи нанесли нанометровый слой оксида алюминия. После этого полученную структуру удалось перенести на кремниевую подложку, расположив серебряной плёнкой вверх. Наконец, на заключительном этапе путём высокоточного скобления серебряной плёнки учёные смогли сформировать транзисторы.
Разумеется, пока говорить о практическом использовании силиценовых транзисторов рано, но исследователи намерены продолжить свои изыскания. Не исключено, что в перспективе результаты работы помогут в создании сверхбыстрых и экономичных компьютерных чипов.
По информации http://www.3dnews.ru/news/909171?ext=subscribe&source=subscribeRu
Обозрение "Terra & Comp".
Выскажите свое мнение на:
|
|
08.02.2015
21:43 |
Получены редчайшие снимки прохождения трех спутников Юпитера по его диску |
|
08.02.2015
21:41 |
Выработку витамина A впервые поручили пересаженным в кишечник микробам |
|
08.02.2015
17:47 |
Развитие Всеобъемлющего Интернета приведет к взрывному росту мобильного трафика |
|
08.02.2015
17:35 |
Первые звезды во Вселенной оказались на 140 миллионов лет моложе |
|
08.02.2015
17:25 |
Swatch выпустит умные часы без необходимости подзарядки |
|
08.02.2015
17:24 |
У шимпанзе обнаружили способность обучаться иностранной речи |
|
08.02.2015
17:15 |
Межпланетная станция Dawn получила самые четкие изображения Цереры |
|
08.02.2015
17:13 |
Благодаря воровству генов животные научились питаться солнечным светом |
|
08.02.2015
17:11 |
НАСА купит шесть мест на «Союзах» для своих астронавтов |
|
08.02.2015
17:06 |
Темную энергию предложили искать рядом с Млечным Путем |
