Новости науки "Русского переплета"
TopList Яндекс цитирования
Русский переплет
Портал | Содержание | О нас | Авторам | Новости | Первая десятка | Дискуссионный клуб | Чат Научный форум
Первая десятка "Русского переплета"
Темы дня:

Мир собирается объявить бесполётную зону в нашей Vselennoy! | Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад? | Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?


Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

09.09.2016
13:46

На смену кремниевой электронике могут прийти транзисторы на основе углеродных нанотрубок

    Если ученым удастся решить проблемы, препятствующие созданию высокоэффективных транзисторов на углеродных нанотрубках, то в будущем компьютеры станут не только производительнее, но и компактнее На смену кремниевой электронике могут прийти транзисторы на основе углеродных нанотрубок

    На протяжении десятилетий ученые пытались использовать уникальные свойства углеродных нанотрубок для создания высокоэффективной электроники. Исследователи добиваются того, чтобы такая электроника работала быстрее при меньшем энергопотреблении, что позволило бы повысить производительность устройств и время их автономной работы от аккумуляторов.

    Но есть целый ряд сложностей, препятствующих созданию высокоэффективных транзисторов на углеродных нанотрубках — крошечных цилиндрах, стенки которых состоят из атомов углерода. И лишь недавно ученым из университета Висконсина-Мадисона (University of Wisconsin-Madison) впервые удалось создать нанотрубочные транзисторы, которые по некоторым параметрам превосходят кремниевые аналоги. Транзисторы на основе углеродных нанотрубок были созданы группой, возглавляемой профессорами Майклом Арнольдом и Падмой Гопалан. Во время испытаний они смогли пропустить электрический ток, в 1,9 раза больший, нежели способны проводить схожие по длине канала, размерам и другим параметрам кремниевые транзисторы.

    Для создания транзисторов нового поколения специалисты разработали механизм получения абсолютно чистых нанотрубок. Для этого их пришлось расположить на специальной подложке с определённым количеством каналов, заполненных полимерами. Изготовленные в ходе этого процесса транзисторы проходили очистку в вакууме для удаления изолирующего слоя между нанотрубками и электродами. Исследователи проводили эксперименты с кремниевыми подложками размерами 1×1 дюйм, а в ближайшее время они начнут адаптировать разработанные ими технологии и методы для работы с 300-мм промышленными подложками.

    Тем временем компания IBM сообщила о том, что ей удалось создать однокристальные схемы, на которых присутствовали более десяти тысяч нанотрубочных транзисторов. При этом вендор использовал стандартные технологии производства полупроводников. До последнего времени ученым удавалось точно разместить на поверхности кристалла микросхемы всего несколько сотен нанотрубок, чего явно недостаточно для реализации сложных электронных схем современных микропроцессоров.

    Для преодоления этой проблемы ученым IBM пришлось разработать новый метод, основанный на химии ионного обмена. С помощью такого метода удалось выровнять и упорядоченно расположить углеродные нанотрубки на поверхности кристалла, при этом плотность размещения нанотрубок на два порядка превысила значение, достигнутое ранее. На одном квадратном сантиметре поверхности кристалла было размещено около миллиарда углеродных нанотрубок, которые являются активными элементами транзисторов нового типа. Если ученым удастся адаптировать созданную ими технологию для массового производства, то в будущем компьютеры станут не только мощнее, но и меньше.

    Помимо создания однокристальных систем нанотранзисторы смогут работать в модулях памяти. На днях компании Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor сообщили, что они приобрели лицензию на разработку и коммерческий выпуск энергонезависимой памяти на углеродных нанотрубках — NRAM. Для её производства будет задействован техпроцесс с нормами 55 нм с последующим переходом на 40-нм нормы производства. На втором этапе Fujitsu приступит к производству самостоятельных микросхем NRAM, после чего следует ожидать появления соответствующих энергонезависимых модулей памяти и твердотельных накопителей.

    Ряд свойств NRAM позволяет ожидать, что в будущем этот тип памяти может заменить как флеш-память, так и оперативную память DRAM. Время доступа к ячейке NRAM во время записи составляет всего 5 нс, а время ее переключения и того меньше — 20 пс. Устойчивость к износу у NRAM просто колоссальная — ячейка на углеродных трубках выдерживает сотни миллиардов циклов перезаписи.

    По информации http://www.itrn.ru/news/detail.php?id=184329

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100


Rambler's Top100