Британские и испанские ученые предложили новые устройства для хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Использование нового материала позволяет существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. Это приводит к большей миниатюризации носителей информации, сообщают ученые в своей статье в журнале Nature.
Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученым удалось добиться ее успешного встраивания в память. Сама МОП-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов. Название является аббревиатурой от «металл-оксид-полупроводник», слои которых ее образуют.
Управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется при помощи подачи напряжения на ее электрод (затвор). Идея ученых заключается в том, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты.
Полиоксометаллаты представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа с богатой геометрией, нередко выступающих в роли катализаторов благодаря их низкой чувствительности к присутствию окислителей. Ранее предложенные учеными добавки в МОП-структуру приводили к низкой электропроводности и нагреванию образца. Новые окислительные возможности в МОП-структуре и позволили увеличить объемы хранимой информации.
По информации http://lenta.ru/news/2014/11/21/mosfet/
Обозрение "Terra & Comp".
