Новости науки "Русского переплета"
TopList Яндекс цитирования
Русский переплет
Портал | Содержание | О нас | Авторам | Новости | Первая десятка | Дискуссионный клуб | Чат Научный форум
Первая десятка "Русского переплета"
Темы дня:

Мир собирается объявить бесполётную зону в нашей Vselennoy! | Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад? | Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?


Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

18.04.2015
17:02

TSMC раскрывает детали о 10-нм технологическом процессе

    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. рассказала новые подробности о своём 10-нм технологическом процессе на организованном симпозиуме в США. Заявленные показатели для техпроцесса оказались чуть менее амбициозными, чем обсуждаемые, однако, основным направлением улучшений является увеличение плотности размещения транзисторов по сравнению с новейшими технологиями компании.

    Технологический процесс 10 нм TSMC (CLN10FF) увеличит плотность транзисторов на 110 % по сравнению с технологией 16 нм FinFET+ (CLN16FF+), согласно данным TSMC. По сравнению с наиболее продвинутой версией 16-нм техпроцесса TSMC, частотный потенциал CLN10FF вырастет на 20 % при неизменном энергопотреблении, а потребление энергии упадёт на 40 % при аналогичной сложности и тактовой частоте чипа.

    Разработка 10-нм технологии производства микросхем проходит по плану; на своём симпозиуме TSMC продемонстрировала 300-мм подложку с 256-Мбайт интегральными схемами памяти SRAM, обработанную по указанному техпроцессу. Поскольку 16-нм нормы производства TSMC используют межблочные соединения, изолирующие слои и контакты от 20-нм техпроцесса, то и размеры микросхем, произведённых по CLN16FF/CLN16FF+, аналогичны размерам чипов, созданных по технологии 20 нм (CLN20SOC). 16-нм техпроцессы TSMC используют более продвинутые транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET), что увеличивает частотный потенциал и уменьшает энергопотребление произведённых интегральных схем. Однако себестоимость микросхем, произведённых по 16-нм технологиям в пересчёте на чип и на транзистор, выше, чем у чипов, созданных по 20-нм техпроцессу.

    Учитывая особенности 16-нм технологий TSMC, а также ценообразования компании, основной задачей 10-нм процесса является увеличение плотности транзисторов на квадратный миллиметр площади. Последнее снизит себестоимость микросхем в пересчёте на единицу продукции и на транзистор. Хотя увеличение плотности на 110 % (более чем в два раза) очень хороший результат, это ниже, чем увеличение в 2,25 раза, которое озвучивалось прошлым летом. Изменение некоторых характеристик технологического процесса говорит о том, что разработка всё еще идёт.

    В ближайшие кварталы TSMC планирует установить оборудование для опытного производства микросхем с использованием 10-нм технологии в одном из существующих производственных комплексов. Пробное производство планируется начать в последней четверти 2015 года. Во втором квартале 2016 компания планирует приступить к строительству полностью новой фабрики, которая впоследствии будет производить интегральные схемы по технологии 10 нм. Ожидается, что 10-нм техпроцесс станет применяться для массового производства микросхем в 2017 г.

    Ранее в этом году TSMC сообщила, что 10-нм технологический процесс станет долгожителем и будет использован для производства самых разных микросхем долгие годы.

    Примечательно, что компания TSMC не стала рассказывать, какие преимущества получат 10-нм микросхемы, если ей удастся внедрить использование литографических сканеров, работающих в диапазоне EUV (extreme ultraviolet — излучение с длиной волны 13,5 нм). По всей видимости, ситуация с доступностью EUV-сканеров, экономически эффективных для массового производства интегральных схем, пока остаётся неясной.

    По информации http://www.3dnews.ru/news/912538?ext=subscribe&source=subscribeRu

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100


Rambler's Top100