ш О
фигурации. В поле Н аппликации частично намагничиваются, создавая в плоскости ЦМД-пл╦пки неоднородные магнит о статич. поля рассеяния. С этими полями связаны локальные минимумы потенц. энергии ЦМД-пл╦нки (магн. ловушки), в области к-рых удерживаются ЦМД. Из-за анизотропной формы аппликаций и вра-
t
\
t
yap
личаются направлением вектора т\ (или тензора), описывающего порядок в несимметричной фазе (параметр порядка). Напр., при ферромагн. переходе таким вектором является вектор спонтанной намагниченности (или магн. момент) 7И, при сегнетоэлектрпч. переходе≈-спонтанная поляризация ^при деформационных переходах ≈ тензор спонтанной деформации (см. Домены, упругие}. Если в исходном кристалле имсотся только одна возможная кристаллографии ось, вдоль к-рои может располагаться вектор TJ, то симметричная фаза о
IIV В
Рис. I. Зависимость свободной энергий F однородного кристалла от параметра порядна n = ^f в ниже темп-ры фазового перс-хода Тс первого (а) и второго (б) рода; два минимума, соответствуют состояниям с взаимно противоположным направлением М.
r.AA/V
а
t ИИ1 МН
12
Схемы перемещения цилиндрических магнитных домсггов на пермаллоевых аппликациях (2) Т≈1-образного <«), Y ≈I-образного (б) и шевронного (асимметричные шевроны) (а) профилей; Я≈управляющее (вращающееся) магнитное поле.
шения Н маге, ловушки продвигаются вдоль ДПС, увлекая за собой ЦМД,
Известны также ионпоимплантированные ДПС и ДПС с токовым управлением.
Осуществляя ионную имплантацию так, чтобы на поверхности ЦМД-пл╦нки остались неимплантирован-ные участки, напр, в форме перекрывающихся дисков, получают ДПС, в к-рой ЦМД локализуется на границе имплантированпой и неимплантированной областей и передвигается вдоль этой границы под действием вращающегося плоскостного маги, поля (ион-ноетмплантированные ДПС).
Примером ДПС с токовым управлением может служить структура из одной-двух проводящих пл╦нок, нанес╦нных на ЦМД-пл╦нку и имеющих овальные отверстия. При пропускании перем. тока по таким пл╦нкам возникают силы, перемещающие ЦМД вдоль поверхности ЦМД-пл╦нки,
Лит.: О* Д е л л Т., Магнитный домены высокой подвижности, пер. с англ., М.└ 1978; Ра о в В. К., X и д е н-нов Г. Е., Цилиндрические магнитные домены в элементах вычислительной техники, М., 1981; Эшенфельдср А., Физика и техника цилиндрических магнитных доменов, пер. с ннгл., М,, 1983. Б. Н. Филиппов.
ДОМЕНЫ в кристаллах (от франц. domaine ≈ владение) ≈ области кристалла с однородной атомно-кристаллич. лли магн. структурами закономерным образом пов╦рнутыми или (и) сдиинутыми относительно ДРУГ ДРУГа. Напр., пов╦рнутые относительно друг друга крпсталлич. Д. являются компонентами двойников (см. Двойниковапие); Д., структуры к-рых лишь сдвинуты относительно друг друга, наз. а н т и ф а з-н ы м и.
Образование доменов связано с фазовым переходом кристалла в состояние с более низкой симметрией. При этом возможно возникновение неск. физически эквивалентных вариантов менее симметричной структуры, по-разному ориентированных или (и) сдвинутых относительно структуры исходной фазы. Структуры разл. Д. связаны между собой операциями симметрии, соответствующими элементам симметрии, утраченным при фазовом переходе (см. Симметрия кристаллов].
Менее симметричная фаза является более упорядоченной, чем исходная высокосимметричная, и Д, рая-
т|=0 может перейти в два эквивалентных состояния с ±г| (рис. 1), к-рые, сосуществуя в одном кристалле, образуют Д. с взаимно противоположным направлением вектора v\ (180°-ные Д.).
Напр., при фазовом переходе тетрагонального парамагнетика в ферромагнетик с одной осью спонтанной намагниченности кристаллич. структура не меняется, а магн. симметрия понижается; возможны 2 противоположных направления намагниченности -А/. Существуют, т. о., ферромагн, Д. с противоположными направлениями намагниченности. При ферромагн. переходе из кублч. фазы понижается ис только магнитная, но и атошю-кристаллич. симметрия. Если спонтанная намагниченность направлена вдоль оси 4-го порядка, то существуют Д. с 6 разл. направлениями спонтанной намагниченности. Анализ с помощью теории групп позволяет определить все возможные виды Д. при любом фазовом переходе.
Граница домена представляет собой область, в K-poii происходит постепенный переход от структуры одного Д. к структуре соседнего. Толщина е╦ определяется конкуренцией двух факторов: с одной стороны, любое промежуточное состояние между состояниями стабильных Д. имеет повышенную энергию; поэтому переходный слой должен был бы иметь мин. толщину. С др. стороны, резкие изменения структуры энергетически невыгодны. Характерная толщина доменной границы (доменной стенки.} зависит от типа фазового перехода: она составляет, напр., сотни и тысячи межатомных расстояний в случае ферромагн. Д. и равна лишь неск. межатомным расстояниям для Д., отличающихся атомно-кристаллич. структурой. Эпергетич. характеристикой равновесных доменных границ является их поверхностная энергия оу к-рая заключена в интервале от единиц до сотен эрг/см2.
Доменная структура (набор, размеры, форма и взаимное расположение Д.) отражает особенности развития фазового перехода в реальном кристалле» в частности независимое начало перехода из разных точек кристалла. В общем случае структура является неравновесной и имеет нерегулярный характер. Но если образование новой фазы сопровождается появлением дал.ыюдей-ствующих полей, возможно формирование равновесной доменной структуры, отвечающей минимуму энергии кристалла. Появление спонтанной намагниченности или поляризации сопровождается возникновением магн. и электрич, поля. Их источники ≈ магн. полюсы или связанные электрич. заряды ≈ расположены на
