ш
8
. Напр., при использовании коаксиальной линии и импульсного сигнала с фронтом 50 ас одновременно получают информацию об е на частотах от 10й До 10° Гц. Пример мул ьти частотного метода ≈ Фурье спектроскопия ИК-диапааона.
Для Д. и. жидкостей применяются также методы, основанные на создании слоя перем. толщины (в конденсаторе, волповодной линии, резонаторе), и т. н. ме-тод эллипсоида: е.' определяют но величине вращающего момента Л/, действующего со сторо-
Рис. В. Коаксиальный резонатор с тор IIP в ым зазором: г ≈ исследуемый образец в овклядках конденсатора. 2. 3 ≈ петли свнаи, 4 ≈ настроечный микрометрический С└ ( 1 1
винт:
t-' - l = B(v,≈ VtVVo, где v 0 и v( ≈ рсзинЕнкзныр частоты пустого и заполненного конденсатора, В ≈ коэффициент, определяемый геометрией резонатора.
ны электрич. поля £ на металлнч. цилиндр или эллипсоид, ПОДПРТНЙННЫП на юнко ft нити в исследуемой жидкости: fi'~M/i'a. Б случае газов из-ad малости t' н Е" используют полноводные ячейки большой длины или много проходи ые речинаторы.
Д. и. анизотропных сред сложнее. В нызкпсимметрич-ных кристаллах, напр., необходимо учитывать тензорный характер е (гл. оси диэлектрич. эллипсоидов е' и е" могут не совпадать как между собой, так и с кристалло-графич. осями, возможен поворот этих осей в зависимости от внеш. воздействий ≈ темп-ры, давления, v).
Д. и. в сильных полях имеют целью исследование зависимости е от напряженности внеш. аяоктрич. ноли Е. К образцу обычно либо прикладывают сильное смещающее ппдс совместно со слабым зондирующий em-налом, либо пользуются меюдом генерации гармоник (см. Нелинейная оптика).
Информацию об е можно получить, исследуя спектр флуктуации поляризации вещества ь измерит, конденсаторе. Найквиста формула свяэынает параметры конденсатора с флуктуационньш током. Возможно определение е н о помощью Черенкова ≈ Ваеилееа излучения. При атом к рассчитывается по намеренным скорости движении аарлж, частиц в исследуемом нетцестве и углу между направлениями их движения и распространения черепковского излучении.
Лит..' Е р и к ц т Л. д., Исследовании диилектрнков на сверхвысоких частотах. М,, 196М; Длинноволновая инфрякрасши: спектроскопия. Сб. ст., ггр. С ;штл., М.. 1МЙ6: Э м е Ф., Диэлектрические намерения, прр. с нем., М., 1967: Надь Ш. Е., Д и электрометрн я, игр. с вещ1., М., 1Э70.
_4. А. Вйлчоз, Г, В. Коэлой.
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ ≈ энергия перем. электрич. ноли, переходящая в теплоту в диэлектрике, Д. п. ≈ одно иа проявлений общего явления самопро-изпо.чьниго перехода энергии упорядоченного движении в энергию хаотич. теплового движении. Т. к. любое иерем. ноле К можпи представить в виде совокупности гармонич. полей: £'=i'ncos tot, тп достаточно вычислить Д. п. для гармония, поля. Электрич. индукцпя D меняется при этом но закону: Д=О0с08 (wf ≈ 6), где t ~ время, oj ≈ частота поля, 6 ≈ разность фаз между векторами К и D, Индукцию D можно представить в виде:
Здесь е' и е" ≈ вещественная и мннмяя части комплексной диэлектрической проницаемости е = е' + (е". Используя Максаелла уравнения, можно показать, что кол-во тепла, выделяющееся в единице ибъ╦ма диэлектрика в единицу времени, т. е. мощность W потерь энергии электрич. поля, равно:
Подставляя ff и I> из (*), получим:
E'E'ftl
8л
8л
(£5 ≈ среднее эа перндд значение £2). В связи с этим 6 наз, углом Д. п.
Частотная зависимость Д. п. определяется частотной дисперсией диэлектрич. проницаемости. При резонансном характере дисперсии максимум Д. п. приходится на частоту, близкую к резонансной частоте о0, при релаксац. характере дисперсии ок соответствует ш= ≈ 1/т, где t ≈ время релаксации,
При уменьшении (О величина Д. п. к идеальном диэлектрике стремится к 0 (пропорц. ш1). Однако реальные диэлектрики всегда обладают проводимостью о, с к-рой связаны потери энергии даже в случае эл.-статич. поля (И*'≈ о£2, см. Джоуля ≈ Ленца закон]. Потери, обусловленные проводимостью, часто включают в Д. п., принимая для малых частот к"**Лп.а1(л. В сегнетоэлект-риках Д. п. могут бить велики на малых частотах и в отсутствие проводимости благодаря гистерезису ссгне-
702
i,\t-\ О └sin
(*)
tg 6=
Величина Д. п. кристаллич. диэлектриков существенно зависит от их термич. обработки, совершенства, примесного состава и т. п. Напр.. в чистой каменной соли величина Д. п. ничтожна (tg6<0,0002 при ш~1 Мгц), а небольшие примеси существенно е╦ увеличивают до tg 6-0,1.
Лит см. при ст. ДиэлЕктрики, Диэлектрическая праницае-мастъ. А. П. Леванюк, Д. Г. Сомни≥». ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР заряженных частиц. Действие Д. ц. основано на способности ТЯЖЕЛЫХ иолов создавать при торможении в тв╦рдых диэлектриках и полупроводниках стабильные во времени зоны дефектов в узком канале вдоль трепа днам. от 1 ≈ 5'10~э мкм до неси. 1≈ 5>10~s MKM. Зоны дефектов (треки) могут наблюдаться с помощью электронного микроскопа либо после избират. хим. травления олтич. методами. В последнем случае следы тяж╦лых частиц наблюдаются как каналы либо лунки диам. от десяткон до сотен мкм (измериютсн с помощью оптич. систем уне-личеиивм 100 ≈ 200), В качество материала Д. д. применяют природные и свнтетич. кристаллы, ст╦кла, высок ополимерные оргаиич. соединения.
Важное свойство Д. д.≈ их пороговая чувствительность к тяжелым ааряж. частицам. Д. д. используются гл. обр. для регистрации многоэарядных ионов, однако на neit-рых материалах, напр, бисал ли л карбонате, возможна регистрация протонов с энергией до 7 ≈ 10 МпВ и а-частиц с энергией до 70 МэВ (обычно длп регистрации а-частиц применяют нитрат или ацетат целлюлозы). Длп выделения более тяж╦лых многозарядных: ионов используются поликарбонат, лавсан, кристаллы оливина, топаза, торина и магнийстронциевое стоили. Порог регистрации поликарбоната и лавсана лежит в области макс, удельных ионияационных потерь ионов углерода. для остальных указанных материалов ≈ в районе Ti ≈ V. Порог выявления треков может быть ещ╦ более повышен (Б сторону больших Z и А) с помощью иаборат. отжига при темп-рах 200≈ 600 "С.
Д. д. отличаются высокой эффективностью регистрации, имеют низкий уровень фона. Они нечувстви-
