two

Мир собирается объявить бесполётную зону в нашей Vselennoy! | Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад? | Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?

2 е
металлах используют ступенчатые вици-ни с болт.ппши индексам» [См (117), Ft (997)|.
Методами Д. а. и м. изучены поверхностные структуры Щ╗ЛОЧИ о-галоидных и др. ионных кристаллов (N10, MgO), полупроводников (Si, CaAs), графита, TaS_2lкремниевых и углеродных покрытий платины, карбида вольфрама, ме-таллич. монокристаллов (Аи, Си, Ag) и раз л. адсорбц. слоев на них. На рис. 2 приведена картина, полученная при дифракции атомов Не на адсорбц. слоях, иодорода на ii о верхи ости Ni (10U). На основе привед╦нных картин Д. а. и м., относящихся к разл. степеням О_н адсорбц. покрытия поверхности, фиксируются копцент рационные фазовые переходы в реш╦тке адсорбпров. водорода и, в частности, поянле-
Рис. 'I. Картины дифракции пучка гелия на авторе-i iiioHHfj у структурах водород» на поверхности Ni (100): А,≈0,03 А, температура поверхности 10UK, угол падении 25°, рассеяние в плоскости падения. По нижней оси абсцисс отложен угол рассеяния, штрихи относятся к ипдек-сам обратной реиг╦т-ни в соответствии с привед╦нными и позначен пями. О_н ≈
степень заполнении поверхности ядсорбированным водо-ридои.
т so за 40 ьо во
∙4,, град.
ние при й└~0,8 сверхреш╦тки со структурой (2x6). Исследования картин дифракции на чистой поверхности Ni (110) и той же поверхности, покрытой адсорбн-ров. водородом, позволили установить, что амплитуда гофра Л изменяется от 0,05 до 0,25 А,
При первых исследованиях Д. а. и м. на поверхностях кристаллов Штерном, Эетерманом, Р. Фришем (Frisch), Ф. Каауэром (F. Киачег) был обнаружен еще один квантовый аффект ^селективная адсорбция (СА), состоящая в том, что па дифракц. картине воуникают дополнит, максимумы и минимумы. Согласно Дж. Л еннард- Джонсу (I. Lennard-Jonea) и Э, Девонширу (Е. Devonshire) (193H), СА объясняется эахинтш] в слабо связанные поверхностные состояния части дифрагирующих частиц, к-рыр удовлетворяют олредел. условиям резонанса. Л этом состоянии частицы теряют постулат. степень свободы по нормали к поверхности и продолжают двигаться параллельно поверхности с энергией
где Sj. ∙ ≈ анергия связанного состияния (неск. моВ), Условием для СА является выполнение соотношения
Лег = f2m/S*} ej <- О,
где k{i_z . ≈ ∙ z-проекция волнового вектора дифрагировавшей частицы. Т. к. вектор обратной реш╦тки (.'= = G(m, п), где т, п ≈ порядок дифракц. рефлексоь, дифракц. картина при СА содержит дополнит, экстремумы порядка т, п (на это указывает индекс G у вектора fc). Т. о., угл. локализация особенностей СА на дифракц. чартпнах при уч╦те всех остальных геом. параметров эксперимента позволяет вычислить энер-_Л т гетнч. уровни ft/, а такжр нек-рые из параметров по-99* тенциала взапиоцействия U (z) дифрагирующих частиц
и поверхности кристалла. Если представить V (г) в вице потенциала Морзе:
U (г)- 1>{ехр[≈2ft (г ^ г,.)! ≈ 2ехр [≈ k(z ≈ z_e)]}
\k ≈ масштабный множитель обратной реш╦тки, s_f ≈ положение дна потенц. ямы (не связанное с Sj), D ≈ глубина ямы], то для £j получим соотношение
2,...
К 2m» ft*
Ниже приведены апергетич. параметры поверхностей LIF и графита:
(5_;- и D в


	D	ff.	«l	£t
LiF flOO) . . Графит (001)	≈8.10 -16,55	≈ 5,5Э±0,1 ≈ 1I,62±0,12	≈ a,oo±n,i ≈ 5,3в±0.12	≈ 1,TB±0,12

Погрешности значений EJ являются следствием в осн. разброса частиц но скоростям, конечности апертур источника молекул и детектора, а также ширины уровня &j : Г~А/т, где Т≈время жизни частицы в адсорби-ров. состоянии. Для определения Г или т с помощью СА требуйся точность измерений, на порядок превышающая существующую.
Интерференциоппо-дифракц. явления наблюдаются также при рассеянии молекулярных пучков на газовых мишенях. На основе изучения взаимодействия пересекающихся молекулярным пучков возникла новая об-ляг.тт. исследований ≈ столкновитель нан спектроскопия. При измерении пространственной и энергетич. зависимостей сечений столкновений установлены особенности потенпиала взаимодействия: во мн. случаях он оказывается мыогоп ара метрическим, как правило, неизотропеп, немонотонен, часто со мн. экстремумами (см. также Молекулярные и, атимные пучки).
Изучение поверхностных структур и динамики реш╦тки с иомощыо Д. а. и м., а также столкиовит. ппек-троскоиия дают уникальную информацию, недоступную др. методам.
Лит..- Ф л с |) о в л М. Н., Дифрпкцин молекулярных лучей опфисталлои. «УФ Ни, 1935, т. 16, с. 614; Я стер и а ни И., Техника молекулярных лучков, тан же_н 1!Н7, т. 32_Т с. BW; Н и-к и I и н Е. Е., Овчинникова М. Я., интс]1ф<!)н>и-т|ионные явления в атомном [рассеянии, там же, 1071, т. 11)4, с. 379; Л и Ф ш и ц Е. М., Питаевский Л. П., Статистическая физика, ч. 2, М., 1Я7й; ГудманФ., ВяхмавГ., Динамика рассеяния газа поверхностью, пер. с англ., М.. 1981); Л е а н а с В. Б., Мсншолекулярные взаивнщейстьия и столкновения атомов и молекул. М.. 1380; Е п к с 1 Т., HiuiierK-Н., Structural studies of surfaces.with atomic and molecular beam diffrHctiun, _u _KH _: Siruclural sEudicd of еигГисс'Б, В. Heidelhcrii ≈ N. Y., 198Z, JO. Н. ЛюЙитов.
ДИФРАКЦИЯ ВОЛН ≈ в первоначальном узком смысле ≈ огибание волнами препятствий, в современном, более широком ≈ любые отклонения при распространения волн от законов ?ео.н к три ческпй оптики. К Д. в. фактически относят все эффекты, визиикашщие при взаимодействии волн с объектом любых размеров, даже малых -по сравнению с длиной падающей волны Я, когда сопоставление с лучевым приближением совершенно не показательно. При таком общем толковании Д. в. тесно переплетается с явлениями распространения и рассеяния воли в неоднородных средах.
Порвал волнован трактовка Д. в. дана Т. ТОигом (Th. Young, 1800), вторая ≈ О. Френелем (A. Fres-nel, (815). В картине волнового поля, возникающей аа препятствием, Юнг усматривал сочетание собственно Д. в. и интерференции. Для объяснения Д. в., помимо обычных законов рас прост ранит и волн в направлении лучей, он вв╦л принцип поперечной передачи амплитуды колебаний непосредственно вдоль волновых фронтов, указав, что скорость этой передачи пропорциональна