X
х ФМ (Fe. Ni и др.) возможно существи-доменов, в к-рых векторы Л/ ориеитп-1ы; углом «<л друг к другу. Так, a Fe намагниченность доменов может быть направлена вдоль любой ОЛН типа [100]. В разделяющих такие домены СТСЕЕ-ка.\ поворот вектора .И осущсстн.тпетсл па 90° (90-гра-дусные ДС). В Ni и др. кристаллах; кубттч. системы с
(рис. 3). В таких ФМ помимо ослошшх существуют замыкающие домены, локалнаоиан-ные вблизи поверхности кристалл а.
У ФМ с замыкающими доменами существование маг-ЩГГОСТЙТ11Ч. полюсов связано только с выходом ДС на поверхность кристалла, и в образцах с размерами, превышающими толщину ДС 6, магннтостатич. энергии не играет существенной роли. Поскольку из-за магнити-uu ка;кд|,ш домен деформируется в направлении
Риг. 4, Замыкающая лмгнит-нйя ;« шея лап структура, наблюдя 014 ли в ж«-нок р пстагш и чтения и;:и!Ш1Нка к кремнистого железа (BTIi ро≈ 3% Si) ли 110-uppstiofTiix пша (110). Линиями похазялыграницы лиминов.
собстн. намагниченности, то на стыках доменов с а<л иояилмютсл избыточные магнмтоуиругне напряжения. Т. о., равновесные рапмеры М. д. с. с Замыкающими PUM1.4IHMH (рис.. 3) определяются минимумом машпто-упругой эниргии и анергии ДС. Если поверхности кристалла кубич. системы (сингонни, см. Симметрия кристал.юе) lit! совпадают с плоскостями типа (100), то замыкающие домены имеют более сложную конфигурацию. На рис. 4 представ лени замыкающая структура в пластинах. С поверхностями типа 1110). В пластинах мапш то многоосных кристаллов с плоскостями, слегка наклон╦нными к кристаллографич. плоскостям типа (100) или (НИ), кроме сквозной полосовой М. д. с. ,., наблюдается структура в виде «╗лочек» и «капель» со-654 ответстисино (рис. 5). Такое усложнение М. д, с. обус-
ловлено уменьшением энергии магнит ост атич. полюсов, связанных с выходом ОЛН, а следовательно М, на поверхность пластины.
На М. д. с. в ФМ большое влияние оказывают внеш. воздействии: наметшие теми-ры, упругие напряжения н, что особенно нажно для приложении, мигн. поле (постоянное Н и переменное Н~].
Рнс. г. Ветвление доменов у пойL'pxuiигги массивного маг-нитоодн|,ос»ош кристалла: а ≈ стэлип образовании клиновидных аоменов. имеющих обратную намагниченность; б ≈ развитое 1л.'гв:и:нно т Случае, когда вектор Ж иа-р а л.ч (NIC и оси легкого намаг-ничи пинии (ОЛН).
ОЛН, параллельными осям типа (111), реализуются 71-и 109-градуслм? ДС. В нек-рых случаях сосущестаини-ниядоменьв (фаз) с а<л (напр., монокристалл Fe, ограниченный и он ерх постами (100)1 возможна доменная структура и почти полностью замкнутым магн. потоком
Рнс. 3. Скематическое изображение магнитной доиеннов структуры с полностью замкнутым пот[>-ж>н. существующей б ферримаг-нитных монокристаллах, ограничении): поверхностями типа \1ЧО>. Напрявлннил нзмэгниченностн цо-менои показали с^рслкямн.
Рие. 5. Донсилад структура крсмаистого жслма: а ≈ чя по-аер>:нисти, почти параллельной и.-юокости (11)0), нлмыкающи(; домены имеют вид лелочсн»; б ≈ на повпрхности С110), с к-рои ось л╦гкого намагничивании [то] составляет небольшой угол. замыкающие домены имеют каплевидкую форму (стрелками па поясняющей схеме полизано направление намагниченности дом снов).
Нагрев н последующее охлаждение образцов (опрс-цел. режимы для рапных магн. материалов) могут прп-иодить к изменению кригталлич. структуры образцов, а следовательно, и к изменению М- Д. с.
Упруги? напряжения существенно влияют на М. Д. с. лини, п магнитомногоосиих. кристаллах при наличии в них Д<;, отличных от 180-1 пидуснызе. Под влиянием упругих наирцженил может происходить смещение ДС, а также дробление и перестройка М. д. С. После снятия напряжения исходная М. д. с. полностью не восстанавливается. М. д. с. чувствительна также н комбинпр. воздействиям теми-ры и магн. поля, а также томп-ры н упругих напряжений. Такие воздействия могут приводить к перераспределению дефеитон в кристаллах И К появлению дополнит, анизотропии (т. Е. навед╦нной анизотропии), с чем и связаны изменения М. д. с.
Под действием постоянного вист. магн. поля Н ДС смешаются п М. д. с. перестраивается (см. Доменной стенки динамика). При достаточно больших значениях И М. д. с. почти полностью исчезает, домены слипаются. Снижение Ч вивидит ФМ из состоннпн маги, насыщения. Вначале вблизи поверхностей кристалла возникают области обратной намагниченности (зародыши перемагничивания), затем нск-рые из них сильно разрастаются, приводя к образованию М. д. с. При выключении Н ФМ сохраняет, как правило, остаточную намагниченность и имеет в УТОМ состоянии М. Д. с,, к-рая может значительно отличаться от М. д. с. иол-ностыо размагниченного оорд;!ца. Такие М. д. с. яв-ляютсн и е т а с т a fi и л ь н ы м и. В кристаллах с большими чолимн анизотропии (SmCoj, MnBi и др.) остаточно намагниченное состояние может Сыть одно-доменным. Существование мегнстабильных М. д. с. обусловлено большими энергстич. барьерами, препятствующими образованию яародышен перемагппчинапия.
В тонких магнитных пл╦нках поле Н мижст стабилизировать определенную М. Д. с., в частности
