3 Z
О
о.
ш
598
∙держащих групны >CHj, ≈CU3, =CHj, ilVXf'u., могут Сить двух типов внутренние Д. к., нрн к-pux изменяются углы внутри группы (напр.. угли Н -С --JI в группе СНа), п внешние Д. к., при к-ры.ч изменяются углы, определяю ищи поворот вгс-й группы в целом. Д. к. не всегда могут Сыть однозначно выделены по формам колебаний: в нек-рые из них значит, вклад вносят деформации валентных связей и торсионные колебания (вращение вокруг хим. связей). Частоты Д. к. обычно ниже и. как правило, менее характеристичны, чем частоты валентных колебаний (см. Характеристические частоты. Спектральный анализ}.
ДЕФОРМАЦИОННЫЙ ПОТЕНЦИАЛ ≈изменение энергии электрона в зоне проводимости или дырки в валентной зове при деформировании полупроводника. Деформация изменяет ширину запрещеныоп зоны по-луироводиика и тем самым положение дна зоны проводимости и «потолка» валентной зоны (см. Зонная теория). Онершн электрона £ изменяется нрн деформации кристалла ва величину Д£ £ ≈ ╗└ ≈ 2 ^i*M/fci
ik
где So ≈энергия при отсутствии деформации, !>,∙└ ≈ теп-аор Д. П., it;it~-зензор деформации. Для упрощ╦нного описания деформац. эффектов в полупроводниках НЕОГДЗ вводят величину dSg/dp, к-рая характеризует изменение ширины запрещенной зоны fig полупроводника при всестороннем сжатии (р ≈давление). Напр., для кристалла гериашгл de./dp = 5-W~<i эВ/атм, а для кремния -|-1,5'10~6 uB/атм. Д. п. позволяет описать взяимодейгтшге носителей наряда с акустнч. ДВ-фоно-ыамн в полупроводниках всех типов. В напьеяоялокт-рич. полупроводттпах (напр.. в Ge) взаимодействие через Д. п. определяет существование таких эффектов, как электронное поглощение УЗ (см. Акустпэлектран-пое взаимодействие), акустомгктрический эффект и др. В льезоэлектрлч. полупроводниках пьезозлектрич. взаимодействие на относительно низких частотах (~ 50 МГц) сильнее, чем взаимодействие через Д. п., однако на частотах в неск. Г Г ц они выравниваются. Д. и. определяет также течзпрезче'тинный эффект, на основе к-рого работают датчики давления, полупроводниковые тензометры, микрофоны и др. устройства. Лит.. Б и р Г. Л., 1Г и к у с Г. Е.. Симметрия и дефнрма-пиоишле яффккты ь полупроводника*, М., 1Ы2. 3. 11 ╧нш.{>и.
ДЕФОРМАЦИЯ механическая (от лат. defor-matio ≈ искажение) ≈ изменение взаимного расположения множества частиц материальной среды, к-рое приводит к искажению формы и размеров тела п вызывает изменение сил взаимодействия между частицами, т. в. появление напряжений (см. Напряжение механическое). Д. тела возникает в результате приложения механнч. сил, теплового расширении, воздействия элскчрич. и маги, полей п др. Д. наз. у п р у г о и. если она возникает и исчезает одновременно с нагрузкой и не сопровождается рассеянием энергии. Пластическая Д. сохраняется при снятии напряжений и сопровождается рассеянием энергии; величина е╦ зависит не только от значений приложенных сил, но п от предшествующей истории их изменения. Для в я а к о-у п р у г о ii Д. типична явная зависимость от процесса иагружения во времени, причем при снятии нагрузки Д. самопроизвольно стрелптся к нулю.
В кристаллах упругая Д. проянляетсн в изменении расстояний между узлами и перекосе кристаллич. реш╦тки без изменения порядка расположении атомов; первонач. конфигурация восстанавливается при снятии нагрузки (см. У пр (/гость). Одними из механизмов плпстпч. Д. в кристалле являются движение it размножение дислокаций. При малых напряжениях перемещение дислокаций обратимо. При напряжениях выше предела упругости движение дислокаций вызывает необратимую перестройку крпсталлич. структуры, т. е. Д. становится пластической (см. Пластичность кри-
сталлов). В пол икриста ллич. теле (напр., в техн. металле), пак правило, одна часть л╦рсп деформируется упруго, друга» - пластически. При этом в м а кромас штабе необратимая Д. может оказаться ничтожно малой (н тело считается упругим), но е╦ наличие проявляется в т. и. гистерезисе упругом (в частности, свободные колебания яатухают вследствие рассеяния анергии, затрачиваемой па пластич. Д- множества з╦рен). Для возникновения движения и размножения дислокаций требуется определ. время. С этим сняэама дпнамич. чувствительность материала: чем быстрее возрастает нагрузка, тем меньшая пластич. Д. возникает iipii on-редел, пел ii'iii не напряжен н я. Если напряжения, превышающие предел упругости, действуют кратковременно, то движение п размножение дислокаций не успевают развиться н пластич. Д. не возникает (см. Запаэды-чание текучести). Д. ползучести связана С движением дислокаций, диффузией внедр╦нных атомов, перестройкой межз╦репных связей.
У полимерах Д. определяется измененном конфигурации плинпых полимерных цепей и поперечных связей между ними. Наличие дальних взаимодействий обусловливает протяж╦нность во времени развития Д. Для полимеров типична иязкоупругая Д. (см. Иязкоупру-гос'нь).
В механике сплошной среды рассматриваются Д. бесконечно малой окрестности точки, по к-рьш воспроизводится Д. тел произвольных форм и размеров. Волокном паз. линия, состоящая из частиц вещества. Относительным удлинением е волокна наз. отношение изменения ого длины I ≈ /└ К первопач. длине /,└ т. е. е - (l≈l^ll^. Сдвигом паз. изменение угла между элементарными (бесконечно малыми) волокнами, исходящими из одной точки среды и взаимно перпендикулярными до Д. В точке (е╦ окрестности) Д. определена, если известны относит, удлинения бесчисленного множества элементарных (бесконечно малых) волокон, содержащих ату точку, и изменения углов мен(ду ними- Д. наз. налет нрн r<El (up акт и час к и ≈ до величин порядка 5≈7%].
Относит, удлинения элементарных волокон, содержащих рассматриваемую точку М и направленных до Д. параллельно осни прямоуг. систем и'Координат O±1jr!j-3, при малой Д. обозначаются еп, ег=, Еза, а сдвиги между ними ≈ 2е13, 2Е!9, 2е31, причем к,2=е21, е23=еза, e3i≈ =еп. Если MA н MB (рис.) ≈ координатные материальные отрезки до деформации и МЛ, и М#, ≈ их положения после деформации, то е,,-≈ (MAi-MA)lMA, SM= (MB,≈Mti)I.WB, els= (∙fti-r-flj)/^. Шесть величин EJ; образуют тензор малой Д., к-рый полностью определяет Д. окрестности точки М. Напр., относит, удлинение волокна, направление к-рого 0 образует углы а:, «j, а3 с осями Озг,г2з:3, равно
где Ii=cos a,, Jt=co8 аг, 1-,≈cos гхя. Относит, изменение объ╦ма окрестности точки (dV≈dVn)/dVa равно 9 = е]1-)-е12Н"Ез3. Величина £ = 6/3 наз. средней (гид-ростатнч.) Д. окрестности точки. Тензор Д. можно представить в виде суммы шарового тензора и девиатора. Шаровой тензор Д. определяется величинами
и характеризует объ╦мную Д. {расширения ≈ сжатия),
КОТОруЮ ОТНОСЯТ К упруГОЙ. ВеЛИЧИН!* Эц. = Е]( ≈≈ Е,
деляют девиатор Д., который характеризует Д. измс-
