|
|
зарождением и ростом двойников или новых з╦рен (при рекристаллизации или фазовом превращении).
Лтпмкая структура ядер дислокаций, точечных и поверхностных Д. наблюдается с помощью автономного микроскопа (ем. Минный проектор), методами электронной микроскопии и др. Дифракционные методы (электронография, рентгеновский структурit.au анализ, нейтронография структурная) используются для определения атомных конфигураций ядер я упругих полой Д. Ряд деталей установлен моделированием на ЧЕМ.
Влияние Д. на свойства кристаллов. Д. влияют практически на все свойства кристалла. Всецело определяются ими т. н. структурно-чувствительные свойств: диффузионные явления (движение точечных Д.), пластичность (движение дислокаций и точечных Д.), разрушение (зарождение н рост трещи к при объединении дислокаций), рекристаллизация, двойникввание, фаяо-вые превращения (движение межаирепных и мсжфаэ-иых границ), радиацнонныр явления (изменения свойств кристаллов под д аистят≥ быстрых частиц, создающих точечные Д.). электрические, оптические и др. свойствл, обусловленные взаимодействием носителей заряда с Д.
В атомной структуре аморфных тв╦рдых тел (ст╦клах, аморфных металлах и сплавах, аморфных ч стеклоиб-рляпых полупроводниках} наблюдаются области размером ~и с аномальным взаимным расположением и плотностью атомов, обладающие собст». ниутр. напряжениями, избыточным объ╦мом, подвижностью, т. е. рядом свойств точечных Д. и дислокаций.
Лит..' Ван Е ю р с н, Дсфикти в ^шсгм.-ищх, пер. с англ., М., 1982; Дамаск А., Ц и н С Д IK., Точечные дефекты в металлах, пер. с англ., М., 1яе«; X и £t т Д ж.. Лоте И., Теория дислокаций, HL-T». с англ.. И., 1Я72; Колли Д., Г 1) о в с Г., Кристаллография и дефекты е кристаллах, ni-p. с англ,, М., 1974; Стоунхэм A.M., Teujjini дсфинтик н твердых тслнх, нср. с ннгл., 'г, L ≈ 2. М., JУ78; Современная 1фис-таллогрнфин, под jM-д. Е. К. Вайнштсйна, т. 2. М., 1Н79, гл. Ь; О р л о и Д. II., Введение в теорию дефектов в кристаллах, М.. 1983; О р JL о в А. Н., Т р у ш и н Ю. В., Энергии точечных дефектои и металлах. М., П*83. A- ff. Орлпв. ДЕФЕКТЫ УПАКОВКИ ≈ ошибки в порядке чередовании плотлоупаколан-ных плоскостей кристалла. Атомные структуры ряда кристаллов можно ггредста-внть н виде плотных шаровых упаковок. На рис, а представлен днумсрнип плотноупаковаипыи слой игл-ров одинакового размера; второй такой слой можно расположить над первый двояко: шары укладываются в лунках типа В (упаковки типа АВ) либо в лунках типа С (типа АС-, рис., и). Третий слон можно расположить либо тик, чтобы центры его шаров помещались над центрами шаров А, либо н лунках типа С, В первом случае получим двухслойную упаковку А В А В..,, во вторим ≈ тр╦хслойную АВСАВС,.. (4-й слой распола-
!>└,.. └ ≈ плотнейшал уииколна шароп в плоском слое, Л ≈ центр шара; 5 ≈ дна плотиоуиаиопаынмх слоя ciajion (AC},
гается над 2-м либо над 1-м и т. д.). Первый тип упаковки реализуется в гексагональных ил от но упакованных (ГПУ) структурах (Mj?, Zu. ос-Co), второй ≈ н ку-бич. металлах (Ag, Ли, р-Со) с гранецентрпр. рршйт-кон (ГЦК), а также в полупроводниках (Ge, Si, (JaAs, PbS и т. д,}.
В идеальных кристаллах все плотпоупаковавныо слон (плоскости) расположены в строгом порядке, об-ралуя периодпч. последовательности. Однако в реальных кристаллах часто (особенно при пластич. деформации, фазовых переходах или в процессе роста) возникают ошибки в расположении слоев, напр, вместо последовательности АВСАВС... может образоваться последовательность АВСВСАВС...; здесь из пвриодич. структуры удалена одпа из плоскостей тина А, такой дефект паз. Д. у. вычитания. Обратный случай, KOI да в последовательность плоскостей вставляется лишняя плоскпстг., называется Д. у. внедрения (АНСА\СЧ1САНС,..) или двойным Д. у. (можно считать, что изъято две плоскости). В гексагональной двухслойной упаковке простой Д. у. выглядит как АВА^САВ..., двойной Д. у.≈как АВА^С\ВСВ...
Д. у, могут образоваться в результате неоднородного распределения вакансий (Д. у. вычитания) либо меясузелъных атомов (Д. у. внедрения), В этих случаях Д. у. не выходит ив. боковую поверхность кристалла, а обрываются внутри его. При этой кран Д. у. образуют линейные дефекта, низ. ч а с т и ч и ы м и дислокациям и. Д. у. вычитания может образоваться и при сдвиге одной части кристалла (напр., верхней) относительно нижней. Действительно, если все атомы (типа и) верх, слоя {и всех вышележащих) сместятся в положение С, то вместо последовательности АВСАВС ABC... получим АВСАВСА \CABC... (при перемещении слоя В в положение С расположенные па ним слои тэк;к1! ш>ррмещаготся: С ≈ ≈Л; А ≈ ≈ В). Для получения двойного Д, у. необходимо произвести 2 после-доват. сдвига:
/ л ABC ляс...- ≈ ≈ лвс АС лвс лвс...≈ ≈ ≈ ABC л. с вел вс...
Так образуются Д. у. в процессе пластич. деформации и при фазовых превращениях.
При образовании Д, у. н кристаллах как бы возникают области но свойственной им структуры. Так, в слу-чао Д. у. вычитания АВС\ВСАВС... в кубич. кристалле оказываются 4 слоя (ВСВС), уложенных по закону
|
Вп_цсст-
1Ш |
А1
|
Ре,А1
|
Со
|
Ni
|
Си
|
CiiaZn
|
As
|
Si
|
Гра-<[1ит
|
AIN
|
||
|
е,
врг/см: |
170
|
500
|
20
|
150
|
41)
|
1
|
23
|
40-511
|
0,51
|
It
|
||
