|
|
ела, к>рые irn1
тицамл мела, к>рые притягиваются жидкостью, ЗИНОЛ-НЯЮНЦЖ ПОЛОСТЬ ТрРЩИНЫ. В ЯТОМ Случае ВОЗМОЖНО обнаружение трещин, не выходящих ни поверхность, подвергающуюся осмотру.
Капиллярная Д. основана па искусств, повышения EIBCTO- и светоконтрастности участка изделие, содержащего поверхностные трещины, относительно окру-жакиадй поверхности. Осуществляется гл. обр. люминесцентным и цветным методами, позволяющими обнаружить трещины, выявление к-рых ЯР вооруж╦нным глазом невозможно на за малых размеров, а использование оптич. приборов ццуффектппно из-за недостаточной контрастности изображения и малого поля зрения при требуемых увеличениях.
Для ибларуженнн трещины полость е╦ заполняется пснетраитом ≈ индикаторной жидкостью на осцово люминофоров или красителей, проникающим в полость под действием капиллярных сил. После этого поверхность изделия очищается от излишков пенетранта, а из полости трещины индикаторная жидкость извлекается С помощью проявителя (сорбента) в виде порошка или суспелзии и изделие осматрчкэетсп в затемн╦нном помещении в УФ-свстс (люминесцентный митод). Люминесценции индикаторного растнора, поглощ╦нного сорбентом, даст ч╦ткую картину расположения трещин с мин. раскрытием 0,01 мм, глубиной 0,03 мм и протяж╦нностью 0,5 мм. При цветном методе ни требуется затемнения. Пенетрапт. содержащий добавку красителя (обычно ярко-красного), после заполнения полости трещины и очистки поверхности от его излишка Диффундирует в белый проявляющий пак. нанесенный топким сдоим на поверхность изделия, ч╦тко обрисовывал трещины- Чувствительность обоих методов примерно одинакова.
Иреимущоство капиллярной Д.≈ е╦ универсальность и однотипность технологии для деталей разл. формы, размеров и материалов; недостаток ≈ применение материалов, обладающих высокой токсичностью, взрыво- и по жар о опасностью, что предъявляет особые требования к технике безопасности.
Значение Д- Методы Д. применяются в ра.чл. областях народного хозяйства, способствуя сонершеистлона-нию технологии наготой лепим изделии, повышению их качества, продлению сроки службы ц предотвращению аварий. Нск-рые методы (гл. обр. акустические) позволяют при периоцнч. контроле изделий, в процессе их эксплуатации оценивать повреждаемость материала, что особенно важно для прогнозирования остаточного ресурса изделий ответственного назначения. В связи с этим непрерывно повышаются требования, предъявляемые к достоверности информации, получаемой при ис-нольловашти методов Д., и также, к производительности контроля. Т. к. метрологич. характеристики дефектоскопов невысоки и на нх показания влияет множество случайных факторов, оценка результатов контроля может быть только вероятностной. Наряду с разработкой новых методов Д., осн. направление совершенствования существующих ≈ автоматизация контроля, применение мл ого пар а метровых методов, использование ЭВМ для обработки получаемой информации, улучшение метрологич. характеристик аппаратуры в целях повышения достоверности и производительности контроля, использование методов визуализации внутр. структуры и дефектов наделил.
Лит.,- ШрайОср д. (.., Ультразвуковая дефектоскопия, М., Itlttfi; Неразрушак^щие и^пглтаннл. (Справочник), поп р*д, Д, Mai;-M8Cte|>a. пер. с англ., кн. 1≈2, М.≈ Л.. 1965; Фалькевич А. С., Хусанов М. X., Магнитографический контроль сварных соединений, М., 1966; Дорофеев А. Л., Элешроиндуктивнан (индукционная) дефектоскопия, М., 1Я67; Р S м я 1[ ц е и С. В,, Радиационная де-фркгоскопия, 2 изд.. М., 1Э74; ттриГюры цлн нераэр у тающего кинтролн материалов и изделий, под ред. В. В. Клюелл, [т. 1 ≈ 2}. М., 13Т6; Неразрушающий контроль металлов и изделий, под ред. Г. Г.. Оанойловича, М., 187G. Д. С. Шрайбер.
ДЕФЕКТЫ в кристаллах≈ устойчивые нарушении правильного расположения атомов пли ионов
в уалах ц ристал л ич. реш╦тки, соответствующего минимуму потенциальной энцргия кристалла.
Геометрическая классификация Д. основана на числе намерений, в к-рых размеры дефектного участка (ядра Д.) значительно превышают межатомное расстояние а. К нульмерным, или точечным, Д., у к-рых все размеры сравнимы с а, относятся вакансии, межузель-ные атомы, примесные атомы замещения и внедрения (в разбавленных тв╦рдых растворах) и их мелкие скопления. Одномерными, или линейными, Д. являются це-иочки точечных Д., дислокации (полные, частичные, двойпнкующие, зерно граничные, межфазные) и дискли-няции. Дислокации имеют вдоль своей оси I размеры 15>а. Перпендикулярно I атомная конфигурация ядра дислокации ( ≈ и) обеспечивает скачок смещений атомов при обходе вокруг линии дислокации, равный вектору Бюргерса Ь.
Двухмерными, или поверхностными, Д. являются дефекты упаковки, границы двойников (см. Двпйникоеа-ние) и дерев (см. Межз╦ренные границ»), янтнфааные и межфазные границы и сплавах, сама поверхность кристалла. Поверхностные Д., обривающиеся внутри кристалла, ограничены полными или частичными дислокациями либо дисклииациями. Трехмерными, или об'ь-╦мныыи, Д. являются поры, трещины, включения др. фаз, тетраэдры из Д. упаковки.
Представление о точечных Д- введено в 192fi Я. II. Френкелем, понятие О дислокациях в 1034 независимо Д;к. Тейлором (G. Т. ТауЬг), Э. Орованом (Е. Orowan), М. По.чяни (М. Polanyi) и развитие идей И. 11. Обреимова, Н. А- Бриллиантова, Л. В. Шубпи-кова, ."I. Црандтлд (L- Prandtl), Делингсра (V. Dclilin-дег] и др.
Основные характеристики Д.: энергия их образования U, равная разности мюкду анергией кристалла с Д. и йоздефектного кристалла из такого же числа атомов; характер изменения упругих искажений рсшбтки вдали от Д., т. е. на расстоянии гэ>и.; избыточный объем; атомная структура ядра Д.; зарядовое состоянии Д.≈ суммарный заряд и распределение заряда и ядре Д.; маги, момент Д.; скорость перемещения Д- по кристаллу иод действием приложенных к кристаллу мехннич., алект-рнч. и др. сил (ПОДВИЖЕОСТЬ).
Энергии образования Д. Энергия образования вакансии (определяемая работой переноса атома из узла решетки на поверхность кристалла) (7--1 эВ. Энергия образования ыежузелышго атома (работа переноса атома с поверхности кристалла в междоузлие) порядка неск. эВ. Точечные Д. повышают конфигурац. энтропии» S кристалла. Поэтому при конечной темп-ре Т в термо-динамич. равновесии, характеризуемом минимумом свободной энергии F≈n£7≈T&S, кристалл всегда содержит иск-рос кол-во (ц) точечных Д. В простейшем случае одноатомных металлов относит, концентрация вакансии С- ехр ( ≈ UikТ].
Энергия образования линейных, поверхностных и объ╦мных Д. велика, в при термодинамич. равновесии нх в кристалле нет. Однако при мехакич. воздействии в кристалле могут возникнуть дислокации и др. Д. Т. к. время до споитааной аннигиляции дислокаций или до их выхода из кристалла велико, то обычно любой кристалл содержит дислокации.. Выращивание беядис-локац. кристаллов макроскоппч. размеров возможно лишь при соблюдении ряда спеп,. мер. Осп. долю энергии дислокации составляет энергия упругих искажений решетки вокруг нее; на единицу длины дислокации она порядка 0,ltd1, где G ≈ модуль сдвига, т. е. ок. 10 эВ на атомную плоскость, перпендикулярную оси дислокации. Поверхностная энергия Д. упаковки в разл. металлах и сплавах V ≈10≈200 иДж-м"1, для межэ╦-ренных границ £7≈1 Дж-м~г. Энергия макроскопич. тр╦хмерных Д. определяется в осн. их поверхностной энергией и энергией упругих искажений.
Механические напрнщения. Д., как правило, нвля-ютея источниками внутр. мезаяич. напряжений. На-
ш
в
38*
