ilO*pfi С С*Й Т pJL] I
Помимо»рвсс*йтрАного класспч. типа Д., исс.леду-ютсн сш'цифич. типы Д.г т. п. спиновая, характеризующаяся движением полны но опирали; Д. а гетерогенных системах; Малоскоростная Д.
Лит. см. при Ст. Взрыв. Б. В. Нсвожалов. ДЕФЕКТ МАССЫ (от JirtT. defcctus ≈ недостаток, изъян) ≈ разность пожду массой снизанной системы взаимодействующих тел (частиц) и суммой их масс в свободном состоянии. Д. м. &.М определяется энергией связи Sfe системы:
&М-£СВ;'С*. (1)
I! случае атомных; ядер Д. м. да╦тся ф-лой
ДМ^ггар-|-Л"тя ≈ т (Z, N), (2)
где m ≈ масса ядра, имеющего Z протонов и Л' нейтронов, тр к т└ ≈ массы протона и нейтрона. Т. к. на практике измеряются не массы ядер, а массы атомов Л/, то Д. и. часто определяют как массу между массой атома в а.е. м. и массовым числим Л=2 + Л" (см. Масс-спектроскапия). Определенный таким образом Д.м., приходящийся на 1 нуклон, паз. иногда у л а к о к о ч-К ы м к о э ф. Знание Д. ч. позволяет определить величину эиор1'1Ш, и рая может выделиться в ядерных реакциях, в частности в реакциях, на наблюдаемых в лаб. условиях, но происходящих в недрах зв╦зд. Поэтому данные о Д. м. разл. ядер играют важную роль в теории эаолюции зв╦зд и теории нуклеосинтеза.
Для космпч. объектов существен гравмтац. Д. м. Напр., гравнтац. Д. hi. Солнца ~1U~° MQ, белого карлика ~10~а ≈10"'Д/Q, нейтронной зпезды тон же массы ~10-1JtfQ. Гравнтац.Д- м. звездною скопления
-Л0~т ≈ 10~а от «го массы, галактик ~10~й, скоплений галактик ~ 10-"≈10-6.
При гравнтац. коллапсе гравитац. энергия свнаи переходит в тепловую и кннетич, энергии коллнлси-рующег'о вещества, поэтому масса системы может уменьшиться только за счет потерн энергии па излучение (нейтринное, эл.-магнитное, гравитационное}. При коллапсе в ч╦рную дыру уменьшение массы может составлять 20≈40%. М. Ю. Хмпия. ДЕФЕКТОН ≈ квсыичаспшца, описывающая поведение точечных дефектов в квантовом кристалле. It квантовых кристаллах, вследствие большой величины амплитуды нулевых колебаний атомок в реш╦тке вблизи положений равновесия, любые точечные дефекты, напр, вакансии и примесные атомы, могут с заметной вероятностью перемещался по кристаллу путей подбарьерных туннельных переходов (см. Квантовая диффузия). При низких темп-pax вероятности подбарьерпых переходов Д. между соседними у ялами кристаллич. реш╦тки су-щестпнпно больше, чем длн переходов, обусловленных классич. термоактинац. механизмом, при к-ром дефект переходит на соседний узел, преодолевая пек-рык Jiiep-гетнч. барьер.
Туикелнровапие Д. в периодич. реш╦тке означает, что для описания Д. хорошим кваЕттовым числом становится не координата дефекта, а его квазиимпульс, Энергия Д. ннлнется периодич. ф-цией кназиимпульса, и энерготлч. спектр Д. имеет зонную структуру (см. Зонная теория). Как пралило, ширина энергетич. зоьш Д, мала, и для определения дисперсии закона достаточно воспользоваться приближением сильной связи. Так. в твердом гелии, и к-ром квантовый характер цшиксинн Д. проявляется особенно ярко, ширина иисргптич. ЗОНЫ еакансионов ~1<j-J эБ (I К), К Д.ТЯ нримесинав
≈101"' ≈10~" аВ, что QO много раз истине, чем для др, квазичастиц в твердых телах, напр, длн электропол проводимости, фониния.
Д. созда╦т вокруг ссбн поле деформации кристалла, с к-рым ваапмпдействуи)? другие Д. Соответствующая энергия упругого взаимодействии двух Д. па больших расстояниях г между ними убывает кат; 1//3. Для улко-301ШЫХ Д. характерная величина скорости перемеще-
мала по сравнению со скоростью звука, ii поле де-
ицп»* а кристалле с Д,. ╧<in<tt<j онределить но ф-ляы теории уиру|'<к;ти.
Пррвпос Д. отличается от обычной дяффуаяи дефектов в тв╦рдых телах: коэф. диффузии имеет иную температурную зависимость и в «предел, условиях возрастает с понижением темп-ры, а длина свободного пробега Д. при низких темн-рах в кристалле с малым числом дефектов намного превосходит межатомное расстоянии. Де-локализация дефектов приводит также к особенностям внутр. трения ≈ к диссипации энергии при однородных деформация.t даже в случае дефектов замещения, к иной температурной зависимости времени релаксации н к резонансным эффектам.
Кроме Д., соответствующих одиночным точечным дефектам, возможны Д., отвечающие связанным состояниям двух или тр╦х дефектов. В этом случае Д. дслока-лнзованы только вдоль оградил, кристаллографнч. осей или плоскостей, т. е. являются своеобразными одно-ил и двумерными ква зи част и дам н в тр╦хмерном кристалле.
Лит.- Андреев Л. Ф., Диффузия а квантовых кристаллах. иУФН», 19il>, т. 11В, с. 251. А. Э. АЗейеревнч.
ДЕФЕКТОСКОПИЯ (от лат. defectus ≈ недостаток, изъян и греч. skopeo ≈ рассматриваю, наблюдаю) ≈ комплекс фил. методов и средств nepadpyuiaioiitero контроля качества материалов, ааготовок и изделий с целью обнаружения дефектов их строения. Методы Д. позволяют полнее оценить качество каждого изделия без его разрушения и осуществить сплошной контроль, что особенно важно для изделий ответств. назначения, дли к-рых методы выборочного разрушающего контроля ив достаточны.
Несоблюдение заданных технол. параметров при обработке материала сложного хим. и фааоного состава, воздействие агрессивных сред и эксплуатац. нагруаок при хранении изделии и в процессе его работы могут привести к возникновению в материале изделия риал, рода дефектов ≈ нарушений сплошности пли однородности, отклонений от заданного хим. состава, структуры или размеров, ухудшающих вкгплуатационные характеристики изделия. В зависимости art келнчини дефекта в зоне его расположения изменяются фнз. свойства материала ≈ плотность, э л сктропр о водность, магнитные, упругие характеристики и др.
Методы Д. оеноианы на анализе вносимых, дефектом искажении в приложенные к контролируемому изделию фиэ. поля раал. природы и на зависимости результирующих полей от свойств, структуры п геометрии изделия. Информация о результирующем поло позволяет судить о наличии дефекта, его координатах п размере. Д. включает в себя разработку методов нераурутающего контроля и аппаратуры ≈ дефектоскопои, уст-ройслн длн проведения контроля, систем для ойработки и фиксации полученной информации. Применяются оптнч., радиан;., магн., акустич,, эл.-магн. (тиковихре-вые), электрич. н др. методы.
Оптическая Д. основана на ноиосредств. осмотре поверхности изделия невооруж╦нным глазом (визуально) или с помощью оптнч. приборов (лупы, микроскопа). Для осмотра внутр. поверхностей, глубоких полостей ii труднодоступных мест применяют спец. эндоскопы ≈ дшштршшыс трубки, содержащие световода, из волоконной оптики, оснащенные миниатюрными осветителями, приемами и лнпзамгг. Методами оптнч. Д- в видимом диапазон» можно обнаруживать только noueux-1Л5(.'тяб/е ffi-фскги (тренцчш, a.wua и др,| в ня#елиях из материалов, непрозрачных для видимого света, а также поверхностные и внутр. дефекты ≈ в прозрачных. Мни. размер дефекта, обнаруживаемого визуально irenoopy-жеплым глазом, составляет 0,1 ≈ 0,2 мм, при использовании оптнч. систем ≈ деслр'ки мкм. Для контроля ючметрин деталей (напр., профили резьбы, шероховатости поверхности) применяют проекторы, графи ломит-ры и мнкроинтерферометры. Повои реализацией онтнч.
О
о
ж ш
е
ш
