575
басвская рептг. камера), пли плоскими, когда нет неоо-х один ости регистрировать вси дифракц. линии. Если кристаллики, составляющие обрааеп, относительно велики, то для получения равномерного распределения дифрагированного излучения по всей поверхности конуса и, следовательно, равномерного почернения линий на дебаограмме образец вращают вокруг оси кассеты с небольшой угл. скоростью.
Угол между образующей к.-л. конуса, Fanp. i-ro, и направлением пярвичноги пучка равен 2v/; угол О/ ^брэгговский угол) связан Брэгга Вульфп условием с мсжплоскостным расстиннием системы атомных плоскостей, дающих данное отражение. Определяя по дебасграмме углы ft;, можно вычислить межллосностные
расстояния в кристаллич. рсш╦ттю образца. Эти данные н сочетании с измеренном интенсив ноете и дифракц. линий позволяют определить размеры элементарной ячейки, тип решетки, точечную и иногда пространств, группу симметрии кристалла [1≈3|. В простых случаях уда╦тся установить я координаты атомов в элементарной ячейке. Фотометрич. исследование профиля диф-рукц. линии позволяет установить распределение кристаллитов в образце по размерам и возникший по тем или иным причинам разброс значений параметра решетки в них.
Д.≈111. м. применяется в технике;, фияике, химии, минералогии. С его помощью исследуют фазиный состав
РентгеншскнЕ лучи юц X =|,54Д I
- II»
иго ц
В.25
10
Нейтроны
10
20 Yro« Э-, град
30
Рис. а.Дифряитогряммы порошка графита (вверху ≈ рентгеноо-оная о.ифрнитог|>амма, внизу ≈ нсйтроно:'рамма). Цифры у дифракционных максимумов указывают миллеровсние индексы
образцов, структурные изменения, происходящие в них под влиянием старения, термической н механич. обработки, кинетику рекристаллизации и вилирата металлов (см. Металла физика), перестройку реш╦тки пол влиянием ионизирующего излучения. Этот метод позволяет исследовать текстуру пластически деформированных образцов, а с помощью прецизионных намерений положений дифракц. линии можно установить присутствие остаточпыл упругих напрнжоний ([4, 51; ∙СМ. Рентгенография материалов].
Аналогичный метод применяется в нейтронографии (рис, 2), н т. ч. магнитной.
Лит.: I) Г и и ь с А., рентгенография кристаллов, пер. с франц., м., 19В1, гл. 4. Ь, 1, 8, 10: 2) Д ж е и м с Р., Оптические "ушщины дифракции рентгеновских лучей, пир. с англ., М., 1950. гл. 16: 3> М а р и н н л. М., Справочник но рснтгево-гтручтурнону анализу пол икриста ллоп, М., 1961; 4) У м а н-с к и И Я. С.. Рентгенография металлов, М.. 19┬Т; 5) И в е р о-н о н а В. И., Ревкевач Г. П., Теория рассеяния рент-генпзскнх лучей, М., 1978, гл. Г>, 7. А. В. Колпаков.
ДЕ-ВРОИЛЕВСКАЯ ДЛИНА ВОЛНЫ ≈ длина волки flc Брайля частицы.
ДЕВИАТОР ДЕФОРМАЦИИ (от лат. devio ≈ уклоняюсь Б сторону) ≈ тензор, определяющий в окрестности точки малую деформацию, не связанную с изменением объ╦ма; выражается через компоненты тензора деформации Е,у ф-лами:
^ll^^^ll≈≈ £, ^£%~^£z%≈≈^» ∙'ЗЯ:=:^ЭЗ≈≈^t ^12 ≈ 12l 323≈≈^23*
**1"6л, где B = (etl4-ii2iH"Esa)/3 ≈ ср. деформация. При этом эп-Ь.'»г.[+эя., = 0. Используется в механике сплошной среды.
ДЕВИАТОР НАПРЯЖЕНИЙ ≈ тензор, определяющий напряжения в точке, не связанные с гидростатич. на-ирнженнси (всесторонним давлением). Д. н. выражается через компоненты тензора напряжений а у (см. Напряжение механическое) ф-лами:
Я:,, = оя,, где a=(<in-T-a2i-i-'crs3)^3 ≈ гидроетатич. (среднее) напряженно. При этом sn-^-s2S-\-s33=Q. Используется в механике сплошной среды. ДЕВИАТОР СКОРОСТЕЙ ДЕФОРМАЦИИ ≈ тензор, определяющий часть тензора скорости деформации, не связанную с изменением объ╦ма. Д. с. д. выражается череа компоненты тензора скорости деформации так же, кик девиатор деформации выражается через тензор деформации.
ДЕИОНИЗЛЦИН Г а а а ≈ исчезновение носителей свободного электрич. зирнда (положительных и отрицательных ионов и электронов) из занимаемого газом объема после прекращения электрич. рааряда. К Д. приводят объ╦мная рекомбинация ионов и электронов, их диффузия к границам занимаемого объ╦ма н рекомбинация'их на степках, а также выход заряж- частиц из занимаемого объ╦ма под действием внеш. элсктрич. поля. Время, необходимое для уменьшения концентрации носителей заряда в определ. число рая (напр., н 103 или п 10е раз от пач. концентрации), паз. временем Д. Оно является важной характеристикой газоразрядных н др. приборов, для работы к-рых существенно поддержание опропел, степени ионизации.. Время Д. зависит от природы газа, геометрии занимаемого им объ╦ма, наличия и изменения но времени_внеш. электрич. ппля, а также от распределения полей пространственных зарядов.
Особенно медленно объемная рекомбинация происходит в чистых электроположительных газах, не способных образовывать отрицат. ионы. Таковы применяемые в электровакуумных приборах Аг, Ne, He, Кг, Хе. В электроотрицят. газнх, в к-рых нейтральные частицы образуются с помощью рекомбинации между собой полошит, и отрицат. ионов, пбъбмная рекомбинация происходит быстрее на неск. порядков величины. Поэтому прибавление электроотрицательных примесей к чистым электроположит. газам значительно ускоряет Д. плазмы пут╦м рекомбинации в объ╦ме. В ряде спу-ТЯРВ, напр, при работе антенных переключателей, практически важно исчезновение из разрядного промежутка именно электронов: поэтому нередко практич. значение имеет не время полной Д. разрядного промежутка, а время его деэлектронизации, т. е, время исчезновения свободных электронов. Это время сокращают прибавлением к основному газу электроотри-цат. примесей.
При малых давлениях газа осн. роль для Д, плазмы играет рекомбинация ааряж- частиц не в обт.е'ме, а на поверхности твердых тол при диффузии к вим ялектро-нов н ионои. На отом основаны применений спец. сеток и металлич. цилиндров около анодов н ртутных выпрямителях и др. при╦мы изменения конфигурации разряд-
о
ш
575
