two

Мир собирается объявить бесполётную зону в нашей Vselennoy! | Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад? | Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?

Т a f) л.≈Удельная ионизация, производимая однозарядными релятикистекижп частицами в гааух в области ионизационного минимума (у-'-≈4 при нормальных условиях).


	Удельна;! -иони-			Удельная иони-
	:iiii(Hj), см"¹			зации, см^ ¹
Газ	ипчнал	Полная	Газ	Пегь вичнал	Пошгап
Не ...	ч 1	8,2	о, ......	^Г'Л Ч ≈ ^ t/	ft "^ f
	1 1 7	42,8	-Воздух ....	^Г> 4	В 8 3
Аг . . .	L!(i 1}	103,7	СО_В ......	3(> 1	107 Л
Кг ...		212.0	СИ, ....	'1 () и	63 ∙)
Хе . . .	48 1	336, «	С Н д	43 Г)	1 '' G У
Н_Е . . .	6 (I	1.0 , 1	СзН* .....	12 <>	18» 4
		И 4 , Я		80 7	2/.!) 9

Лит./ Ионизационные измерения в физике высоких энергий, М., lilSR. Г. И. Мерзок. ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ~ поток частиц или эл.-магп. квантов, сзаимидейстлке к-рого с веществом приводит к ионизации его атомон и молекул. И. и, являются потоки электронов, политропов, протонов, дейтронон, а-частиц и др. заряж. частиц, а также потоки иейтропов, рентг. и у-излучения. Понятие И. и. не включает в себя видимый свет и УФ-излучение. Рас-нространянсъ и среде, И. и. формирует поле, характеристиками к-рого являются флюенс, плотность потока частиц и квантов, керма, энергетич. снвктр.
Лит. см. npif сг, Ди-за.
И011И36ВАННОГО ВОДОРОДА ЗОНЫ ≈ то же, что
зоны IIII,
ИОНИЗОВАННЫЙ ГАЗ ≈ газ, о к-ром атомы (все или значит, часть) потеряли по одному или но несколько принадлежавших им электронов и превратились в положит, ионы. В особых условиях могут образоваться и отрицательные ионы. Подробнее см. Плазма.
ИОННАЯ БОМБАРДИРОВКА поверхности твердых т о л ≈ приводит к возникновению взаимосвязанных процессов, основные из к-рых ≈ объ╦м-нос и iioucpJtiiocTHOc рассеяние бомбардирующих ионов (в т. ч. п с измененном их зарядового состояния), эмиссия из раяя. конденсированных сред заряж. и нейтральных частиц и их комплексов (иопно-ионная эмиссия, ионно-электронная эмиссия^ распыление, ионно-стиму-лнрованная десорбция с поверхности тв╦рдого тела), испускание эл.-магн. излучения с широким спектром частот (и о н о л ю м и н е с ц о н ц и я, ионно-фотоп-ная эмиссия, рентг. излучение), разл. радиац. процессы, в т. ч. образование дефектов как в объ╦ме тв╦рдого тела, так и на ого поверхности (рис.).
Первый итап всех процессов ≈ элементарный акт столкновения иона с атомом тв╦рдого тела, результатом к-рого является перераспределение энергии и импульса бомбардирующего иона между рассеянным ионом и атомом мишени» Акт столкновения приводит к возникновению протяж╦нных последовательностей столкновений (напр., фокусоны, димамич. краудионы) и каскадов атомных столкновений, а также процессов, сопровождающих перестройку электронных оболочек партнеров столкновения, что и обусловливает всю совокупность вторичных процессов, вызванных И. б.
В отличие от атомных столкновений в газах столкновения в твердых телах характеризуются малостью межатомных расстояний, а также наличием упорядоченности в расположении атомов и коллективизированных электронов. Малость межатомных расстояний по сравнению с газами приводит к тому, что при расч╦те после-доват. столкновений необходимо учитывать различия в потенциалах взаимодействия сталкивающихся частиц, смещение рассеивающего атома за время столкновения, а также возможность одновременного (или почти одновременного) столкновения атома либо иона сразу с двумя и более атомами мишени. Упорядоченность в расположении атомов приводит к тому, что последова-
тельности столкновений могут оказаться коррелированными, что обусловливает сильные о р и е н т а ц, эффекты как в прохождении ионов через вещество, так и в разл. эмиссионных и радиац. процессах. Наличие коллективизированных электронов приводит к диссипации энергии при прохождении ионов через вещество даже в тех случаях, когда движущийся ион не испытывает 'сильных (т. е. с отклонением на большой угол) столкновений с атомами тв╦рдого тела, в частности при каналировапии наряженных частиц.
И. б. наблюдается в естеств. условиях (напр., ионная бомбардировка искусств, спутников Земли в околоземном и космич. пространствах), в лаб. условиях (напр., в з-л.- маги, разделителях тзвотопов; ем. Изотопов разделение). Она эффективно используется в микроэлектронике для легирования полупроводников
Бомбардирующий


	Рассеяние		Ра

			Ионно-эмис

Распыление


Электромагнитные излучения .
Ионио-фо-тонная эмиссия	*Ионнолюми несценция**	Рентгеновское излучение
/ /

Ионно-стимулирсван-ная десорбция
Ионнс-электронная
эмиссия

о о о о
О О О
выбитые агамы
о о о о о
,ООО О Вакансий
D.o о-о
Междсузель
Обедненная
ф - бомбардирующий нон; О ~ атом реш╦тки;
∙ ^ атом, выбитый из реш╦тки первичным ионом; ® - междсузельный атом;
П ≈ вакансия
Схема основных процессов, обусловленных ионной бомбардировкой тв╦рдого тела. Показаны различные виды эмиссий зарян(<:нных и нейтральных частиц и различные виды радиационных дефектов.
(см. Лонная имплантация,}, микролитографии, а также для целенаправленного изменения свойств тв╦рдых тел, в т. ч. для упрочнения их поверхностей и др.
Лит.: Д е й м а н К., Вэаимодействие излучения с тв╦рдым телом и образование элементарных дефектов, пер. с англ., М., 1S)79; Ion bombardment modification of surfaces. Fundamentals and applications, ed. by O. Auciello, R. Kelly, N. Y., 1984; M a s h k о v a E. S., Molchanov V, A._f Medium-Energy ion reflection from solids, Amst,, 1985; Т и л л У., Лак-сон Д ж,, Интегральные схемы. Материалы, приборы, из-готоилсние, пер. с англ., М., 1985.
Е. С. Машкова, В. А, Молчанов,
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ (ионное внедрение, ионное легирование} ≈ виедение примесных атомои в тв╦рдое тело бомбардировкой его поверхности ускоренными
X X
о
2Г
197