1tom - 0552.htm
Ън .>
ж
ш
е в
m
«
UI
с;
<
х «
< п
<
<
X
ш
Ч
Г╦рдого ядра. В неч╦тном ядре неч╦тный нуклон увеличивает либо /р для неч╦тно-протонных ядер, либо /п для неч╦тно-нейтронных я коллективный g-фактор первых больше, а вторых меньше, чем g# для соседних четно-ч╦тных ядер. По абс. величине эта ч╦тно-нечет-пая разность коллективных гиромагнитных отношений
Лит.: Рсйнуотср Д ж., Каи возникла модель сфероидальных ядер, пер. с англ., «УФН», 1976, т. 120, с. 529; Бор О.т Моттельсон Б., Структура атомного ядра, пер, с англ., т. 2, М., 1977, гл. 4,5. И. М. Павличенков.
ДЕ ХААЗА ≈ ВАН АЛЬФЕНА ЭФФЕКТ ≈ наблюдаемая в металлах и вырожденных полупроводниках при низких темп-pax осциллирующая зависимость магн. момента М от внеш. магн. поля В. Впервые обнаружен В. де Хаазом (W. J. de Haas) и П. ван Альфеном (P. van Alphen) в Bi в 1930. В дальнейшем наблюдался практически у всех чистых металлов, у ряда интерметаллических соединений и др. веществ, имеющих металлич. проводимость (Мо02, W02 и др.), а также в вырожденных полупроводниках и двумерных проводниках, в частности гетер остр у ктурах. Д. X.≈ в. А. э., как и др. квантовые осцилляции в магн. поле (напр., Шубпикоеа ≈ де Хааза эффект)^ обусловлен квантованием движения электронов в маги. поле.
Период осцилляции Д Z?-1 позволяет определить площади экстремальных (по проекции квазиимпульса на В) сечений £Экстр Ферми-поверхности в соответствии с Лифшица ≈ Онсагера формулой:
tJ а§л* т тъ -≈ ^JTi/J1 ┬ 1С iA О t акстр '
Здесь е ≈ заряд электрона. Д. X.≈в. А. э. приводит к образованию диамагнитных доменов при 4я {дМ/дВ-1) > 1. Наблюдению осцилляции магн. момента, как правило, не мешают побочные явления. В сочетании с простотой измерения магн. восприимчивости это обусловило широкое использование Д. X.≈ в. А. э. в экспериментальной физике металлов (форма
поверхности Ферми и др.).
Лит.: Шенберг Д., Магнитные осцилляции в металлах, пер, с англ., М., 1986. В, С. Эделъмаи.
ДЕЦИ... (от лат. decem ≈ десять; g, d) ≈ приставка для образования наименования дольной единицы, равной Vjo от исходной. Напр., 1 дм (дециметр)≈ОД м.
ДЕЦИБЕЛ (дБ, dB) ≈ дольная единица бела. 1 дБ = = 0Т1 Б. Для сравниваемых значений Р2И ^*i энергетич. величин ,4≈10 Igt^V^} дБ, а для значений Fz и Рг силовых величин А = 20 lg(F2//\\)дБ. Логарифмич. уровень Л = 1дБ при Р%≈1,259 Рг или ^2=1,122 Рг.
Ю. И. Иориш.
ДЕЦИЛОГ (дг, dg) ≈ единица логарифмич. уровня Я=10 lg(t?2'/(?i)) 1Де *?i и Qz ≈ сравниваемые значения одноим╦нной величины. В отличие от бела и децибела для Д. не делается различия между энергетич. н силовыми величинами: условия, ограничения, а также нач. уровень Ql оговариваются в каждом конкретном случав сравнения,
Лит.: Г и н к и н Г. Г., Логарифмы, децибелы, децилоги, М.≈ Л., 1962, К>. И. Иориш.
ДЕЦИМЕТРОВЫЕ ВОЛНЫ ≈ радиоволны с длиной волны от 1 до ОД м (диапазон частот 300≈3000 МГц). Возможность создания направленных антенн относительно небольших геом. размеров, прозрачность ионосферы и тропосферы для Д. в., зависимость коэф. отражения этих воли земной поверхностью от ео структуры являются основой широкого использования диапазона Д. в.: в тропосферных радиорелейных линиях, телевидении, линиях космич. связи, дистанц. методах псслодования поверхностных слоев Земли (с помощью радиолокации или собственного теплового радиоизлучения Земли), в радиоастрономии при исследованиях галактич. и внегалактич. объектов (распредел╦нное радиоизлучение Галактики, радиоизлучение зв╦зд, остатков сверхновых, радиогалактик, квазаров и др.)-
ДЖОЗЕФСОНА ЭФФЕКТ ≈ протекание сверхпрово-дящего тока через тонкую изолирующую или tiec-верх-проводящую прослойку между двумя сверхпроводниками (т. н. джозефсоновский контакт). Эффект был теоретически предсказан Б. Джозефсоном (В. Josephson, 1962) [1]. Д. э. обнаруживается при изучении вольт-амперной характеристики (ВАХ) джозеф-соновских контактов (ДК). При пропускании через ДК достаточно слабого тока напряжение на контакте отсутствует, т. е. ток является чисто сверхпроводящим {джозефсоновский ток). Его существование связано с неполным разрушением куперовских пар электронов (см. Купера эффект} при их прохождении через очень тонкую несверхпроводящую прослойку. Такой режим называется стационарным Д-э. (экспериментально обнаружен в 1963 [2]), При увеличении тока через контакт и достижении им нек-рой величины Ic на контакте возникает напряжение. Значение критич. джозеф-соновского тока 1С зависит от свойств контакта, темгт-ры и магн. поля. Ток 1С складывается из тока сверхпро-водящих (спаренных) электронов, к-рый теперь становится переменным (его частота зависит от напряжения на контакте), и тока, обусловленного прохождением через прослойку нормальных (несверхпроводящих) электронов. Режим при токе 1С наз. нестационарным Д- э.
Согласно теории сверхпроводимости, сверхпроводя-щие (спаренные) электроны характеризуются единой волновой функцией, фаза к-рой плавно меняется вдоль сверхпроводника при протекании по нему тока (фазовая когерентность сверхпроводящих электронов). При прохождении свсрхпроводящих электронов через несверхпроводящую прослойку фазовая когерентность частично (в меру отношения толщины прослойки к т. н. длине когерентности) разрушается и протекание джозефсонов-ского тока через прослойку сопровождается скачком фазы волновой ф-циц сверхпроводящих электронов на этой прослойке <р=<р2≈«Pi, где Ф2 и фг ≈ фазы волновой ф-ции в сверхпроводниках по обе стороны от прослойки. При этом ток через контакт равен
== sn
(1)
Из ф-лы (1) видно,что джозефсоновский ток не может превьпнать 1С.
Величина /с и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий иа двух одинаковых или рая л. сверхпроводников (обычно в виде тонких пл╦нок), раздел╦нных очень тонким слоем диэлектрика, напр, слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туинелированием электронов (см. Туннельный эффект) че- У,мА рез непроводящий барьер. Для получения измеримого джо- 3 зефсоновского тока толщина изолирующей прослойки дол- 2 жна быть ок. 10≈20 А. На
Вольт-амгтериая характеристика (ВАХ) туннельного контакта Sn≈ Sn при температуре 1,4 К (прослойка ≈ пл╦нка оксида олова).
О
рис. для примера изображена типичная ВАХ для туннельного контакта из одинаковых сверхпроводников. Стрелками показано направление изменения тока. Если увеличивать ток, то происходит описанный выше переход из стационарного в нестационарный режим Д. э. При уменьшении тока нестационарный Д. э. может сохраниться до значений тока, меньших критического (т. е. туннельный контакт проявляет гистерезис).
")
}
