Портал | Содержание | О нас | Авторам | Новости | Первая десятка | Дискуссионный клуб | Чат Научный форум Первая десятка "Русского переплета" Темы дня:

Мир собирается объявить бесполётную зону в нашей Vselennoy! | Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад? | Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?

(эфф. полем магн. анизотропии) вдоль одной из осей л╦гкого намагничивания, соответствующей минимуму энергии. Г. м. возникает из-за того, что два направления Jtf (по и против} этой оси в магиитоодноосном образце или несколько эквивалентных (по энергии) направлений М в магнитомпогооспом образце соответствуют состояниям, отдел╦нным друг от друга потенциальным барьером (пропорциональным Й_д). При порсмаг-ничивании однодомепкых частиц вектор М рядом последовательных необратимых скачков поворачивается в направлении Н. Такие повороты могут происходить как однородно, так и неоднородно по объ╦му. При однородном вращении М коэрцитивная сила Н_с~Нд. Более универсальным является механизм неоднородного вращения Л?. Однако наиб, влияние на Н_с он оказывает в случае» когда осн. роль играет анизотропия формы частиц. При этом II_с может быть существенно меньше эфф. поля анизотропии формы.
В многодоменных образцах, где персмагпичиванпе обусловлено в первую очередь смещением доменных границ, одной из гл. причин Г. м. может служить задержка смещения границ на дефектах (немагнитные включения, межз╦ренные границы и др.) и их последующие необратимые скачки. В ряде случаев, напр. в ферромагнетиках с достаточно большими //д, Г. м. может определяться задержкой образования и роста зародышей перемагничивания, из к-рых развивается доменная структура. Зародыши возникают пут╦м неоднородного вращения Л/, напр, в участках с локально пониженной (за сч╦т дефектов) анизотропией. В полях 11=- ≈£f_ni паз. полями зарождения, энергетич. барьер, связанный с локальным полем Ид, исчезает и происходит образование зародыша, к-рый затем или раст╦т, или затормаживается на дефектах. Зародышами могут являться также остатки доменной структуры, локализованные на дефектах образца и неуничтоженные в процессе его намагничивания. Рост зародыша начинается при достижении поля старта Н=≈Н _s. При |//|> >\\H_S\ энергия, идущая на создание граничного слоя зародыша, перекрывается выигрышем анергии в объ╦ме образца. Если |Я└|>|Я₉|, то Г, м. связан с задержкой образования, а при I// |<|/Г₅| ≈с задержкой роста зародыша. В обоих случаях при перемагничива-иии образца вдоль оси л╦гкого намагничивания возникают прямоуг. ПГ.
С Г. м. связано гистерезисное поведение при циклпч. изменении ff целого ряда др. физ. свойств, так или иначе зависящих от состояния магнетика, от распределения намагниченности (или др. параметра маги, порядка) в образце, напр, гистерезис магнитострикции, гистерезис 0альваномагнитн,ых явлений и магиитооп-тнч. явлений (см. Магнитооптика) и т. д. Кроме того, т. к. намагниченность неоднозначно изменяется (из-за метастабильных состояний) также в зависимости от др. внеш. воздействий (темп-ры, упругих напряжений и др.), то имеет место гистерезис как самой намагниченности, так и зависящих от не╦ свойств при циклич. изменении указанных воздействий. Простейшими примерами являются температурный Г. м. (неоднозначная температурная зависимость М при никлич. нагревании и охлаждении магнетика) и магнитоупругий гистерезис (неоднозначное изменение М при циклич. наложении и снятии внеш. одностороннего напряжения).
Лит.; Вонсовсьий С. В., Магнетизм, М., 1971, С. 830≈Г)2, Б. Н. Филиппов.
ГИСТЕРЕЗИС СЕГНЕТОЭЛЕКТРЙЧЕСКИЙ ≈ неоднозначная петлеобразная зависимость поляризации $* сегнетоэлекгприков от внеш. электрич. поля Л? при его циклич. изменении. Сегнетоэлектрич. кристаллы обладают в определ. температурном интервале спонтанной (самопроизвольной, т. е, возникающей в отсутствие внеш. электрич. поля) электрич. поляризацией У_с, Направление поляризации может быть изменено электрич. полем. При этом зависимость $\\Щ в полярной фа-зе неоднозначна, значение $* при данном JS зависит от
предыстории, т. е. от того, каким было ялектрич. поле в предшествующие моменты времени (рис, 1). Осн. параметры Г. с.≈ остаточная поляризация кристалле ^ост ^ПР^И £≈О, значение поля £_н, при котором происходит переполяризация (коэрцитивное поле), макс, поляризация ^_Макс» соответствующая полю Д^ля совершенных монокристаллов петля Г. с.

	за E*	/≈	"Г1	/ E* CMJKC
	)			∙\\

ф
и to
Ш
О. Ш
и
Рис. 1, Зависимость поляризации 5* ог электрического поля
К для сегш'тоэл^итрического кристалла Р полярной фазг; а≈
идеальный кристалл, б ≈ реальный сйгнатоэлектрик.
имеет форму, близкую к прямоугольной, и ,Ф₀с? близко к #>_с (рис. 1, а). В реальных кристаллах и сегиетоэлектрич. керамике петля имеет иную форму, ^ост сильно отличается от $* процесс переполяризации затягивается на большой интервал значений Е (рис. 1, б).
Существование Г. с. следует из феноменологии, теории сегнетоэлектрич. явлений, в соответствии с к-рой в сегнетоэлектрич. кристалле возможно фиксированное число равновесных состояний с определ. направлением: $*_с. В идеальном кристалле в отсутствие электрич. поля состоянию равновесия соответствует однородная поляризация; реальный кристалл, как правило, разбивается на домены, в к-рых ориентация #⁵_С соответствует указанным направлениям. В одноосных сегнето-электриках возможны лишь два противоиолож-
Рис. 2. Зависимость термодинамического потенциала
Ф сегнетоэлектрическогп кристалла от поляризации
3* при Е=0 (жирная линия) и Е ^= 0 (тонкие линии).
ных направления $*_с вдоль полярной оси. Равновесным значениям $*_с отвечают два симметричных минимума
на зависимости термодннамич. потенциала Ф от поляризации (сплошная кривая, рис. 2). При наложении поля ti в равновесии реализуется состояние с поляризацией, отвечающей минимуму ф-ции Ф=Ф≈Еу*; зависимость Ф (5^s) становится несимметричной (пунктир
на рис. 2), и ми и им, значению Ф соответствует то значение ^⁵_С, к-рое совпадает по направлению с J£. Переполяризация происходит, когда перепад значений ф-
ции Ф_т соответствующих е╦ минимумам, становится достаточно заметным, а высота потенциального барьера, разделяющего состояния с противоположной ориентацией ^с,≈ достаточно малой. При циклич. изменении Е переполяризация будет происходить с запаздыванием, обусловливая образование петли Г. с. В идеальном кристалле коэрцитивное поле должно соответствовать такому искажению потенциального рельефа (рис. 2), при к-ром один из минимумов практически исчезает и изменение направления у*_с происходит скачком, 4≥*
") }