1tom - 0296.htm
365
Ираст-изомгры. Ыеколлсктивные В. с. я. наз. ираст- обнаружено изомерных состояли!! с временами жизни
т~нс. Это указывает на нваксиальлую форму ядра в ираст-состояпиях при />40.
изомерами ия-аа их большого времени жизни (см. мерия ядерная]. Они открыты в 1977. Коллективное вращение в ираст-пзомерах полностью отсутствует, и весь угл, момент образован выстроенными в одном направлении у гл. моментами j нуклонов. Они наблюдаются в сферич. ядрах с числом нейтронов N пли протопоп Z, несколько превышающим магич. числа {50, 82, 126). Именно в отих ядрах нме-тптс-я нуклопные орбиты с
∙большими у гл. моментами,
∙с участием к-рых обрадуются одпочастичные возбуждения с, выстроенным угл. моментом. Так, в нейтрокиа-дефицитнъис ядрах редкоземельных элементов с 82=^ <ЛГ<80, Z^68 в образовании ираст-изомеров участвуют подоболочкя /?/, fee,
12 ' t '
Г13/ для }|ейтронов и Лп/ для протонов.
Ираст-мяомеры изучались
Лит.: Пап л и ч е и к он И. М., Аномалии вращательных спРЬ'трон деформироианных атомных яде^, «УФК», 1981, т. 133, С. 193., И. М. Павличеп-ков.
400 пс
с помощью измерения дискретного -у-спектра, в сфе-рич. ядрах из-за отсутствия интенсивных £*2-переходов в ирпст-области
_L
Т
/{/+0
I__I
Рис.
О 500 3. Ираст-состояния
ШЛО
сферического и деформированного ядра. Цифры указьшают время жизни уровни.
ходы эффективно «охлаждают» составное ядро в направ- ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ≈характсри-
лснии ираст-полосы и заселяют ее уровни при /~40. стика о (со) проводников (металлов, полупроводников н Это позволяет наблюдать дискретные у-липии для более др.), посредством к-роп зада╦тся линейная связь между высоких I\\ чем в деформированных ядрах.
Онсргии переходов между уровнями нраст-изоме-ров группируются в области S ~ 700 ± 200 кэВ. Время жизни лрист-изомсров изменяется в пределах от неск. ЛО 500 не. Эти факты подтверждают одночастичную природу ираст-иэомеров и объясняются особенностями
оболочочнон структуры ядра. В ср, энергия ираст-иао- эффективная длина /эф свободного пробега мерой 8 --- _^v (^v ≈ энергии одпочастичных возбужде- носителей заряда (для определ╦нности электронов)
плотностью тока / п напряженностью приложенного перим. элсктрич. поля частоты ы [Е ≈ ^0*ехр(≈╗О>*)]
/(<п)==(т(ш)Д'(а)). (1)
Выражение (1) сстеств. образом обобщает Ома закон. справедливо в локальном проделе, когда т. и.
Оно
-v
вин) лролорц. /2, т. к, из-за принципа Паули 2 £v за-
v
висит от числа одночастичных возбуждении квадратично, а / ≈ линейно. Коэф. пропорциональности л зависимости 8 ~ Г* на 10- 15% превышает момент инерции твердой сферы, имеющей размеры ядра. Поэтому с точностью до оболочсчных флуктуации (~ сотен KL>B} энергии ираст-изомеров описываются топ же ф-лоп, что и энергия вращения деформированного ядра;
(6)
ограничена:
'эф ~
Са
Так, ддн деформированного ядра 15йВу Jl'-^-li МэВ"1, а для сфсрич. 1МЕгУ//?2=70 МэВ-1 (рис.3). Однако приближенная чависимвсть (6} связана не с вращением ядра, а со свойством системы фермионов.
Измерение квадрупольпых моментов и шромагн. от-ъошсшш ираст-изомсров позволяет установить их мпо-гочастич]гую конфигурацию. Квадрупольпый момент, растущий с увеличением /, отвечает параметру деформа- O(CL») ции р., ≈ОД≈0,2 (см. Деформированные ядра]. Возмож- В. п. Hot что ядро в этом случае имеет сплюснутую форму с ∙осью симметрии в направлении выстраивания угл. момента, к-рая получается в результате выстраивания одночастичных орбит,
Мв. ядра имеют ираст-уровпи, занимающие промежуточное положение между неколлективными; и чисто вращат, состояниями. Пример ≈ ядро 158Ег, у к-рого вклад одыочастичного движения в ираст-состояние с
Здесь б ≈ характерный размер, па к-ром изменяется поле Л?, I≈vt ≈ длина свободного пробега электрона, v ≈ ср. скорость электронов (в металлах и вырожденных полупроводниках г~107≈10е см/с, в обычных полупроводниках v ≈ скорость теплового движения), т ≈ время между столкновениями (время р с я а к с а-ц и и) электронов. Обычно т лежит в пределах It)-9≈ К)-13 с и зависит от темп-ры и чистоты проводника и, Кроме того, может изменяться с частотой.
В изотропных средах В. п. определяется (но порядку величины) соотношением:
а (со)
>≥
4л
≈ iwc
(3)
Здесь wn,i~ (4лп<е2/т*) '* ≈ плазменная частота электронов, п ≈ их концентрация, т*≈ эффективная мас-
электрона, е ≈ его заряд, В анизотропных средах - топяор. При выполнении условия (2) описание возможно пут╦м введения т. п. эффективной диэлоктрич. про п и ц а е м о с т и, учитывающей вклад электронов:
(4)
где Е ≈ диэлоктрнч. проницаемость ионной решепш. Зависимость рэф от частоты (временная дисперсия еэф) в электронных проводниках, в отличие от диэлектриков, проявляется, начиная с низких частот. Это ≈ следст-
/л ≈40+ составляет 50%. При больших / и £ в ираст- вис наличия свободных носителей заряда, способных области сферических и деформированных ядер но изменять свою энергию на сколь угодно малую велнчи-
Os
X
О и
О
§ и
371
")
}
