вырожденным. В общем случае степень вырождения уронней энергии рацна ¹/% (У^-Г- I) (^ Ь2).
В сложных многоатомных молекулах вырождение колебании может иметь место не только цследствпе симметрии молекул, но и при случайном совпадении частот колебаний, относящихся к одному и тому же типу симметрии. Такое вырождение паз. случай и ы м» См. также Колебания молекул, В г Дашгас-кип, ВЫРОЖДЕННЫЙ ГАЗ ≈ пи, обладающий существенно квантовыми свойствами в условиях, когда ср. расстояние между ого частицами порядка (или меньше) ср. длины волны до Бройдя (см. также Хвантошй газ). Вырождение наступает, когда темп-pa гауа становится ниже вырождения температуры. В зависимости от спина частиц существуют вырожденные ферми-гааы (нолуцелый спин в единицах Л-≈А/2я) и вырожденные боле-гаэы (нулевой или целый спин). Для бозс-газа темп-pa вырождения совпадает с темп-рой Базе≈Эйнштейна конденсации.
Вырожденными фермк-гизами являются: электроны в металлах (для них на-иа малой массы электрона темп-ра вырождения очень велика, ~10⁴ К); подвижные носители заряда (электроны и дырки) при большой их концентрации в полупроводниках (вырожденные полупроводники); атомные ядра с большим зарядом (пч можно приближенно рассматривать как В. г. нуклонов). Вырожденным боле-га;юм (точнее, квантовой жидкостью) является ⁴Не в состоянии сверхтекучести, га;ш фононов и экситонов и крнеталлич. решетке, газ фотонов.
В. г. ≈ состояние вещества, широко распростран╦нное в космосе: электронный ферми-гаэ в белых карликах, красных гигантах и сверхгигантах; равноно-сный бозе-газ фотонов роликтоного получения (см. Микроволновое фоновое излучение)', нораыювесноо излучение космических мазеров (см. Мизерный, эффект в космосе); ферми-га:* нейтронов {см. Нейтрализация вещества) и нейтрино (см. Гравитационный коллапс].
^ Д. II. Зубарев. ВЫРОЖДЕННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК ≈ полупроводник, в к-ром эпе-ргетпч, распределение носителе!! наряда описьтнается Ферми, ≈ Дирака статистикой. Уровень Ферми и Б. п. расположен либо внутри зоны проводимости или валентной зоны, либо находится в запрещ╦нной зоне в непосредственной близости от кра╦в этих зон, па расстоянии порядка kT (Т ≈ абс. темп-ра). Собственные полупроводники становятся вырожденными при высоких темп-pax, когда kT сравнимо с шириной запрещ╦нной зоны £_g. В собственных полупроводниках с узкой запрещ╦нной зоной {Hgfie, HgTe) вырождение носителей одного или обоих типов наступает уже при комнатной темп-ре. В примесных полупроводниках электроны цронодимостп (дырки) становятся вырожденными при высоких концентрациях допорной (акцепторной) примесл. При интенсивном оптич. возбуждении или сильной инжекцни носителей заряда возможно вырождение неравнокеспых носителей.
Upit произвольной степени вырождения термоднка-мич. икинетич. характеристики равновесной электроы-но-дырочной системы полупроводника выражаются через интегралы Ферми ≈ Дирака:
пая теплопроводность, Лельтье эффект, Периста эффект, Эпипит'с.гаузена эффект н др. в полупроводниках с изотропным энергетнч, спектром. В полностью В. п. (при 7=ОК) эти аффекты отсутствуют, т. к. в силу Паули принципа в явлениях перекоса в таких полу-» проводниках принимают участие лишь носители заряда, находящиеся на ферми-поверхности .и обладающие одной н той же энергией. ПрнТ≈(Ж эти эффекты имеют место, но они невелики ≈ их величина приблизительно в %,,'kT пли в (£/£7*}^г (в зависимости or рассматриваемого аффекта) раз меньше, чем в невырожденном полупроводнике.
Наиб, ярко особенности В. п. проявляются и присутствии квантующего магн. поля (см. Де Хиаза≈ван Альфе па эффект, Шубникова≈де Хааза эффект, и др.). В. П. попользуются в туннельных диодах и цнжекци-VH-HUX лазерах.
.Чит.: А н с (J л ь м А. ТТ., Введение в теорию полупроиод-нш-ioii, 2 и:щ., М., 11)78; Г» л с к м о р Д ж,, Статистика йлект-I.IQHOB н полупроводника*, ш>р. с англ., М., 1Ш>4.
Э, М. Эптлпейи.
ВЫСОКОВОЛЬТНАЯ ФОТОЭДС ≈ аномальная эдс, возникающая вдоль освещаемой поверхности полупроводника или диэлектрика н пропорциональная длине освещ╦нной области. В. ф. может превышать 10^;1Б. Подробнее см. и ст. Фогг1огаАЪ$апома&пшпн,ые явления_t
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ РАЗРЯДЫ ≈ виды электрических разрядов в газах, возникающие при болг.тшш ра.нюстп иотонциалоо между элгектродами. Типичный пример В. р.≈ грозовые разряды п земкои атмосфере, прпводянпю к ярким вспышкам молнии. К В. р. можно также отнести корону высокочастотную и высокочастотный факельный разряд, коронный разряд на пост, токе, применяемый, в частности, в электрофильтрах и элсктрогепараторах, вакуум-ный пробой и др. JTum. см. при ст. Электрические разряды « епиах. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ УСКОРИТЕЛЬ ≈ устройство для ускорении заряж. частиц электрнч. полем, постоянным в течение всего времени ускорения частиц. Осн. элементы В. у.≈ источник заряж. частиц, ускоряющая система к высоковольтный генератор (рис, 1). Напряжение и, получаемое от высоковольтного генератора .7, пода╦тся па электроды ускоряющей системы 3 и созда╦т внутри нее электрнч. поле. Заряж. частицы лз источника 2 ускоряются этим нолем до энергии ╦~спи эВ, где пе ≈ заряд ускоряемой частицы (е≈ элементарный электрич. заряд; и выражено в В). Используя перезарядку ча-