1tom - 0131.htm
о
ас О
16
222
Описываемого Ван-дер-В аалъса уравнением', для реальных газов Б.≈ М. з. выполняется приближ╦нно ≈ тем лучше, чем дальше состояние газа от критического. БОКОВЙЕ ЧАСТСТЫ ≈ частоты спектра модулированного колебания^ лежащие по обе стороны от несущей частоты й>(). В случае амплитудной модуляции гармонии, модулирующее колебание частоты Q образует две Б, ч. юо:££3. Если спектр модулирующего сигнала занимает диапазон частот от QJ до Й2т то возникают две полосы Б, ч. Верх, полоса представляет собой спектр модулирующего сигнала, сдвинутый на щ в область высоких частот и занимающий интервал от (OQ-j-Qj до W|)+^at ниж. полоса ≈ обращ╦нный спектр, сдвинутый на ш0 в область высоких частот и расположенный в диапазоне от щ≈Й2 до ш0≈Qt; ниж. полоса является зеркальным отображением верхней относительно to0.
При синусоидальной частотной модуляции, образуются 2 полосы Б. ч., каждая содержит помимо Б. ч. w0±£i дополнит. Б. ч. шв±Шт соответствующие гармоникам модулирующей частоты Ш при k=2, 3, .... Ширина полосы зависит от величины fl≈Дсо/Й, называемой индексом модуляции, где Дш ≈ амплитуда изменения частоты, т.н. девиация частоты. При р«1 полосы частот амплитудно- и частотно-модулированных сигналов одинаковы. При больших р полная ширина полосы для частотной модуляции составляет -^2(A(o-f-Q). Эта полоса шире, чем при амплитудной модуляции.
Индекс фазовой модуляции равен макс, отклонению фазы Дф, др. соотношения при синусоидальной фазовой модуляции остаются такими же, как и при частотной.
Лмтп. см. при Ст. Модулированные -колебания. БОЛОМЕТР (от греч, bole ≈ бросок, луч и metreo ≈ измеряю) ≈ тепловой неселективный при╦мник излучения, основанный на изменении электрич. сопротивления термочувствит. элемента из металла, полупроводника или диэлектрика при его нагревании вследствие поглощения измеряемого потока излучения. Б. используется для измерения суммарной мощности излучения, а в сочетании со спектр, прибором ≈ для определения спектр, состава излучения. Введением красителей в органич. пл╦нку, наносимую на поглощающий слой, или с помощью внеш. оптич, фильтров Б. может быть превращ╦н в селективный при╦мник. Термочувствит. элемент металлич. Б. представляет слой (толщина 0,1≈1,0 мкм) металла (Ft, Ni, Апт Bi), поверхность к-рого покрыта слоем черни для улучшения поглощения в широкой области спектра. В полупроводниковых Б. используют окислы Mn, Ni, Co, а также пл╦нки из Ge и Si. Б. включают по мостовой схеме, в два плеча к-рой включены два одинаковых термочувстдит. элемента: один ≈ рабочий, другой ≈ компенсационный для устранения влияния темп-ры окружающей среды на балансировку моста.
Относит, изменение сопротивления чувствит. элемента Б. ДЛ/7? при изменении его темп-ры на величину ДГ описывается приближ╦нным равенством ДЛ/7?≈ (ЗА Г, где р ≈ температурный коэф. сопротивления; для большинства металлов р≈ Т1"1; для полупроводников р = ≈ 3*Ю3 Т1"2. Как при╦мник оптич. излучения Б. характеризуется чувствительностью или коэф. преобразования, выражаемым в В/Вт; порогом чувствительности или пороговым потоком ≈ миним. потоком, при к-ром сигнал близок или равен шумам Б., и постоянной времени, характеризующей время установления стационарного режима. Металлич. Б. ((5^0,5% на 1 К), работающие без охлаждения, при собственном Я = 5≈50 Ом имеют чувствительность ~5≈10 В/Вт,
пороговый поток ~10-10≈10~fl Вт/Гц1'2 и постоянную времени 2-Ю"1 с. Полупроводниковые Б. применяют как без охлаждения (р^4,2 % на 1 К), так и при глубоком охлаждении до 1,5≈4 К; их типичные параметры: собственное R = i ≈10 МОм, чувствительность 50≈ 5000 В/Вт, пороговый поток порядка 10 ~п ≈
10~10 Вт/Гц1'1, постоянная времени 0,1≈5 мс. Поро-
говый поток полупроводниковых Б. изменяется приблизительно ~}^s, где s≈площадь чувствит. площадки. Уменьшение размеров площадки затрудняет фокусировку излучения на ней. Для преодоления этого затруднения созданы иммерсионные В., у к-рых чувствит. элемеит находится в оптическом контакте с линзой, имеющей большой показатель преломления. Это позволяет эффективно фокусировать излучение на при╦мной площадке размеров до 0,01 мм2 и тем самым снижать величину порогового потока. Сверхпроводниковые Б,, работающие при глубоком охлаждении (3 ≈ 15 К)г основаны на резком изменении сопротивления при переходе нек-рых металлов и полупроводников от нормального к сверхпроводящему состоянию. В переходном диапазоне темп-р, составляющем доли градуса, температурный коэф. резко возрастает (р^5000% на 1 К), что приводит к увеличению чувствительности Б. В качестве материалов для таких Б. применяют SnT Та, PtT сплав ниобия с оловом, а также нитрид ниобия. Пороговый поток и постоянная времени сверхпровод-никовых Б > составляют соответственно 3 ∙ 10 ~~и ≥
≈5-10~м Вт/Гц 'г и 10~4 ≈10~3 с (см. Свер.гпроводни-ковые при╦мники излучения).
Б. широко применяются в измерит, и лазерной технике как при╦мники ИК-излучения.
Лит.: М а р к о в М, Н., При╦мники инфракрасного излучения, М., 1968; К р и к с у н о в Л. 3., Справочник по основам инфракрасной техники, М., 1978; Справочник по лал^рам, пер. с англ., под ред. А. М. Прохорова, т. 2, М., 197S.
JZ, Н. Каперский*
БОЛОМЕТРИЧЕСКАЯ ПОПРАВКА ≈ радость между болометрич. и визуальной зв╦здными величинами.
Б0ЛЫЩАНА ПОСТОЯННАЯ (k) ≈ одна из фундам. физ. констант; равна отношению универсальной газовой постоянной R К Авогадро постоянной Лгд. Назв.
в честь Л. Больцмана (L. Boltzmann). Б. п. входит в ряд важнейших соотношений физики: в ур-ние состояния идеального газа, в Больцмана распределение, выражение для ср. энергии теплового движения частиц, Б. п. связывает энтропию физ. системы с термодина-мич. вероятностью е╦ состояния. Б. ц. Л=1,380862(44) х ХЮ~23 Дж/К (на 1984). Это значение получено на основе данных о Л и ./Уд,
БОЛЬЦМАНА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ≈статистически равновесная ф-ция распределения /(/?, г> по импульсам р и координатам г частиц (атомов, молекул) идеального газа, к-рые подчиняются классич. механике и находятся во внеш. потенциальном поле (см. Статистическая физика)'.
< 1«/2т+17_{гП └.
где pz/2m ≈ кинетич. энергия частицы с массой т* U (г) ≈ е╦ потенциальная энергия во внеш. тюле, Т ≈ абс. темп-pa газа. Постоянная А определяется из условия, что суммарное число частиц по всем возможным состояниям равно полному числу частиц Л' в системе (условие нормировки).
Б. р. есть следствие Болъцмана, статистики идеального газа, находящегося во внеш. потенциальном поле [Л. Больцман (L. Boltzmann), 1868≈71]. Частным случаем Б. р. при t7(r}≈0 является Максвелла распределение частиц по скоростям,
В свою очередь Б. р, может быть получено из Гиббса распределения для газа, в к-ром взаимодействием частиц можно пренебречь.
ф-цию распределения (1) иногда наз. распределением Максвелла ≈ Больцмана, а распределением Больцмана ≈ ф-цию распределения (1), проинтегрированную по всем импульсам частиц. Она характеризует плотность числа частиц в точке г:
где п0 ≈ плотность числа частиц, соответствующая точке, в к-рой U(r) = 0. Отношение плотностей числа
")
}
