|
|
на силе осциллятора экситонного перехода в объеме кристалла порядка объ╦ма Б. 13]. Б. имеют короткое время жизни. Др. путь обнаружения Б. состоит в наблюдении их двухфотонного рождения (см. Многофипюн.-ные процессы], вероятность к-рого резонансно велика из-за малости £Б [4]. Такие процессы изучены на Б.
в CuCl и СиВг [51.
В полупроводниках с многодолинной структурой спектра типа Si и Ge (см. Многодолииные полупроводники] образованию заметных концентраций Б. препятствует конкуренция с электронно-дырочными каплями (см, Электронно-дырочная, жидкость], обладающими большей энергией связи, чем Б. В Si Б. были обнаружены только при сильной одноосной деформации, снимающей вырождение зон и вследствие этого повышающей стабильность Б. по сравнению с каплями. Т.к. эффективное парное взаимодействие между Б. в ряде случаев соответствует отталкиванию, высказано предположение о возможности их бозе-конденсацин [fif.
Если рассматривать термин «экситон» в широком смысле этого слова как бестоковое одшшмнульснос элементарное возбуждение в кристалле, то к Б. должны быть отнесены также связанные состояния двух магно-нов (с и и н о в ы е комплексы Бете) или двух фононое (б и ф о н о н ы). Возможны также гетероком-плексы ≈ связанные состояния двух экситонов раал. типа, напр, в и б р о н ≈ связанное состояние молекулярного электронного экситона и внутр. фонона (см. Вибронные возбуждения в молекулярных кристаллах). Механизм взаимодействия зависит от природы экситонов, образующих В., напр, для бифононов он определяется энгармонизмом колебаний кристаллич. реш╦тки. Вифононы наблюдались в кристаллич. пара-водороде [7] и ряде др. кристаллов [7]. Связанные состояния электронного экситона и магнона обнаружены в ан-тиферромагнегиках [8].
Лит.: i) Г а И д и д е И Ю, Б, и др., Бимолекулярные як-ситонные состоянии в альфа-кислороде, «Письма в ЖЭТФ», ШЗ, т. 18, с. 164; 2) Москаленко С. А., К теории эиси-тона Мотта в шел очно-галоидных кристаллах, «Оптика и спектроскопия*, 1958, т. 5, с. Ц7; 3) Г о г о л и н А, А., Ра ш-б а Э. И., Влияние взаимодействия экситонов на экситонные спектры, «Письма и ЖЭТФ», 1973, т. 17, с. 600; 4) Н a n a m u-ra E., Giant two-photon absorption due to excitonic molecutes, (.Solid State Communs», 1973, v. 12, p, 951; 5) Г р ю н Д ж. Б., Хенерлаге Б., Леви Р., Биэкситоны в CuCl и родственных системах, в кн.: Экситоны, под ред. Э. Н. Рншбы я М. Д. Стерджа, М., 1985; 6) Т и м о ф е е n В. Б., Свободные многочастичные электронно-дырочные комплексы в Ж'лрявдоаон-ных полупроводниках, там же; 7) Б ц л о у с о и М. В,, Колебательные эксигоны Френкеля, там же; 8) Т а н а б е Ю., А о и я г и К., Экситоны в магнитных диэлектриках, там же.
3, И. Рашба.
БЛАГОРОДНЫЕ МЕТАЛЛЫ ≈ группа металлов, отличающихся низкой хим. активностью. К ним принадлежат Ag, An, Pt, а также металлы платиновой группы: Ru, Rh, Pd, Os к Ir, относящиеся, как и Pt, к VIII группе пернодич. системы элементов л сопутствующие ей в природе. Ag и An высоко пластичны, остальные Б. м, отличаются тугоплавкостью (*пл ок. 1800 °С и выше), Многие Б. м. при сплавлении друг с другом образуют тв╦рдые растворы [напр., All и Ag (кубич. граноцснтрир. реш╦тки), Os и Ru (гексагональные реш╦тки), Rh, Pd, Ir и Pt (кубич. гранецонтрир. реш╦тки)].
Хорошая электропроводность, стойкость к коррозии, высокая темп-pa плавления и отражат. способность Б. м. и их сплавов определили их широкое применение. Из них изготовляют разл. контакты, сопротивления с малыми температурный кооф. и термоэдс (в паре с медью). Покрытия из Аи в 0,01≈0,02 мкм наносят на внеш. поверхности космич. кораблей и спутников для улучшения отражения ими ял.-маги, излучения Солнца. Из Ag изготовляют зеркала высокого качества. Чистую платину и е╦ сплавы применяют в термометрии (термометры сопротивления, термопары). Из сплавов Os и 1г делают износоустойчивые детали приборов (напр., стрелки компасов). Из сплава Pt (90%) и 1г изготовлены эталоны метра и килограмма. с. с. Бсрдоносив.
БЛАНКЕ! ТЕРМОЯДЕРНОГО РЕАКТОРА ≈ одна из осн. частей термоядерного реактора, спец, оболочка, окружающая плазму, в к-рой происходят термоядерные реакции и к-рая служит для утилизации энергии термоядерных нситронон.
БЛЕСК ≈ характеристика свойства поверхности, отражающей свет. Б. обусловлен зеркальным отражением слета от поверхности, происходящим обычно одновременно с рассеянным (диффузным) отражением. Глаз человека воспринимает зеркальное отражение на фоне диффузного, и количественная оценка Б. определяется соотношением между интепсивпостями зеркально и диффузно отраж╦нного света. Нередко Б. характеризуется качественными признаками, напр, металлический Б., алмазный1, стеклянный и т. п. Строго научного определении понятия D. и его количественной меры IIP существует.
БЛЕСК п е б.е с ного светила ≈ освещ╦нность, создаваемая свотилом па нормальной к падающим лучам плоскости в пункте наблюдения. Логарифмич. единицей измерения Б, является зв╦здная величина. БЛИЗКОД╗ЙСТВИЕ ≈ см. Взаимодействие. БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР (англ, blocking, букв.≈ задерживание) ≈ релаксац. генератор импульсов, выполненный как однокаскадный усилитель с трансформаторной обратной связью. Может работать в автоко-лебат, режиме (рис., и), генерируя кратковременные
« ,*£ б
ит
3
к нагрузке
нагрузк»
Запуск
Схемы блокинг-геиераторов: а ≈ в автоколебательном режиме;
б ≈ в ждущем решите,
импульсы с высокой скважностью, и в ждущем режиме (рис., б), создавая одиночные импульсы при подаче aaiiy екающего сигнала в базовую или коллекторную цепи. Электронный прибор в Б. -г. (лампа, транзистор) потребляет энергию только во время генерации импульсов. В промежутках между импульсами происходит процесс релаксации ≈ медленный разряд конденсатора С через резистор R до возникновения (в схеме рис., а) коллекторного токат поело чего наступает стадия генерации импульса. С ростом тока в коллекторной обмотке импульсного трансформатора ИТ в базовой обмотке индуцируется напряжение такой полярности, при к- рой происходит дальнейшее нарастание коллекторного тока (положительная обратная связь ≈ ОС). Развивается лавинообразный процесс, завершающийся насыщением транзистора Г, ≈ происходит формирование фронта импульса, после чего наступает стадия формирования его вершины. Конденсатор заряжается постепенно убывающим током базы вплоть до выхода Т из насыщения, что вед╦т к восстановлению ОС и к формированию среза импульса, завершающемуся отсечкой коллекторного тока Т и возникновением выброса обратной полярности. Вновь наступает стадия релаксации. Б. -г, имеет низкую стабильность частоты повторения импульсов. Для увеличения стабильности в базовую цепь вводят колебат. контур или разомкнутую линию задержки. Б. -г. хорошо синхронизуется внеш. периодич. сигналом, его можно использовать для деления частоты. В ждущем режиме Б.-г. применяют как формирователь импульсов с короткими фронтом и срезом. Запуск осу-ществляется подачей отпирающего импульса в базовую
о.
LU
X ш
* I
ас
О
")
}
