Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

13.04.2018
17:27

Двухслойный графен получил свойства полупроводника после поворота и растяжения слоев

    Французские физики разработали способ управления электронными свойствами из «скрученного» двухслойного графена, предложив независимо растягивать каждый из слоев в разориентированной структуре. Это позволяет, в частности, отойти от традиционной для графена линейной структуры электронных зон и получить области с плоскими запрещенными зонами, пишут ученые в статье в Physical Review Letters.

    Один из распространенных методов управления электронными свойствами графена — создание двухслойных структур, в которых один слой связан с другим с помощью вандерваальсовых сил. Такая двухслойная система обладает важным преимуществом по сравнению с обычным однослойным графеном — в ней слои можно поворачивать друг относительно друга. Этот поворот приводит к образованию гексагональных муаровых структур — двумерных узоров, в которых из-за разориентированности между собой двух слоев у решетки появляется дополнительный период, в несколько раз превосходящий период атомарной графеновой ячейки.

    В такой системе происходит чередование разного типа выравнивания двух слоев друг относительно друга — атом верхнего слоя графена может находиться либо над атомом нижнего слоя, либо над «ямкой» между двумя атомами. Разные типы выравнивания по-разному влияют на структуру энергетических зон материала и, таким образом, меняя угол поворота, можно управлять электронными свойствами материала.

    Французские физики под руководством Венсана Ренара (Vincent T. Renard) из Университета Гренобль-Альп исследовали еще один метод управления электронными свойствами двухслойного графена: ученые предложили не просто поворачивать один слой относительно другого, но при этом еще и слегка растягивать слои независимо друг от друга, в результате чего между периодами их кристаллических решеток появляется небольшие отличие.

    В своей работе физики использовали методику, с помощью которой можно деформировать вдоль одного из главных направлений решетки каждый из слоев двухслойного графена, которые повернуты относительно друг друга на 1,25 градуса. Величина деформации в эксперименте не превышала нескольких десятых долей процента. Авторы работы отмечают, что растягивать слои независимо друг от друга в двухслойном графене возможно благодаря тому, что они связаны между собой не ковалентной связью, а за счет относительно слабого вандерваальсового взаимодействия. Как и в случае недеформированного двухслойного графена, в образованной структуре чередуются зоны правильного выравнивания двух слоев и зоны, в которых слои смещены друг относительно друга на полпериода, однако такие зоны образуют не гексагональную решетку, а более сложную.

    С помощью сканирующей туннельной микроскопии и рамановской спектроскопии физики изучили, как при таком растяжении изменяется пространственная и электронная структура двухслойного графена и подтвердили полученные данные с помощью теоретических расчетов. Оказалось, что с помощью предложенной методики можно привести к превращению структуры дираковских конусов (с линейной связью между энергией и импульсом электрона и нулевой запрещенной зоной), характерной для однослойного графена, в значительно более сложную структуру. Исследователи отмечают, что в полученной структуре встречаются как области, характерные для недеформированной муаровой двухслойной структуры, так и новые элементы. В частности, в ней присутствуют области с плоской запрещенной зоной шириной около 100 миллиэлектронвольт.

    По словам физиков, для описания исследованных ими структур требуется более подробное теоретическое изучение, однако полученные результаты свидетельствуют о перспективности использования предложенной методики для управления электронными свойствами графеновых материалов в наноэлектронных устройствах.

    Возможность изменения взаимной ориентации слоев в графеновых структурах — важный инструмент управления электронными свойствами не только двухслойного, но и трехслойного графена. Например, недавно ученые предложили метод получения трехслойного графена с нужным порядком слоев, что позволяет получать в графене электронные зоны с нужной формой и известной шириной запрещенной зоны.

    По информации https://nplus1.ru/news/2018/04/13/bilayered-graphene

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100