Российские ученые разобрались в принципах образования скрытого состояния слоистого дисульфида тантала. Этот материал может применяться в современной микроэлектронике.
Специалисты Национального исследовательского технологического университета МИСиС разработали теорию, которая объясняет физические свойства дисульфида тантала, сообщает РИА «Новости». Речь идет о так называемом скрытом состоянии. Ученые выяснили, что состояние перспективного материала при воздействии сверхкоротким лазерным или электрическим импульсом меняется, из диэлектрика он становился проводником и наоборот.
Благодаря уникальным свойствам дисульфид тантала рассматривается разработчиками как перспективный материал для компьютерной памяти нового поколения. Российским ученым из МИСиС удалось найти теоретическое обоснование свойств этого вещества. Они объяснили, почему одноименные заряды в такой структуре не отталкиваются, а притягиваются друг к другу.
«Оказалось, что этот процесс энергетически выгоднее, чем максимальное удаление положительных зарядов друг от друга, потому что при образовании дробно заряженных доменных стенок минимизируется заряд на каждом из составляющих стенку атомов, из-за чего доменная система и становится более стабильной, что полностью подтвердил эксперимент», — рассказал один из разработчиков.
Как отметили ученые, их исследование подтвердило теорию, согласно которой дисульфид тантала можно использовать для хранения информации и сверхбыстрой работы с ней. Предполагается, что модули памяти нового поколения на основе дисульфида тантала будут в разы быстрее тех, что используются во всех современных устройствах.
По информации https://stimul.online/news/teoriya-rossiyskikh-uchenykh-pozvolit-sozdavat-pamyat-novogo-pokoleniya/
Обозрение "Terra & Comp".
