Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

30.05.2024
16:30

ASML обновила своей же рекорд плотности транзисторов — теперь он 8 нм

    Компания ASML на конференции Imec ITF World 2024 сообщила, что побила собственный рекорд плотности транзисторов, используя первый литографический сканер с высокой числовой апертурой (High-NA). Бывший президент и технический директор ASML Мартин ван ден Бринк, ныне консультант компании, отметил, что ASML планирует разработать более совершенное оборудование Hyper-NA. Это позволит увеличить скорость обработки кремниевых пластин до 400–500 штук в час, что более чем вдвое превышает текущий показатель в 200 пластин в час.

    На конференции было объявлено, что на оборудовании High-NA EUV удалось напечатать линии с плотностью 8 нм, что является рекордом для производственного сканера. Предыдущий рекорд был установлен всего месяц назад, когда компания смогла напечатать линии с плотностью 10 нм в лаборатории в Вельдховене, Нидерланды. Для сравнения, стандартные машины Low-NA EUV от ASML способны печатать элементы размером до 13,5 нм.

    Ван ден Бринк также сообщил, что работа по оптимизации системы и подготовке к массовому производству уже началась в Нидерландах. Intel, единственный производитель чипов, имеющий полностью собранную систему High-NA, вводит её в эксплуатацию на заводе D1X в Орегоне. Сначала Intel будет использовать эту систему для исследований и разработок, а затем планирует запустить производство на EXE: 5200 для узла 14A.

    Современные стандартные машины EUV используют свет с длиной волны 13,5 нм и числовой апертурой 0,33. Новые машины High-NA с числовой апертурой 0,55 позволяют печатать более мелкие детали. Ван ден Бринк упомянул, что система Hyper-NA сохранит ту же длину волны, но увеличит числовую апертуру до 0,75, что позволит печатать ещё более мелкие элементы. Хотя критический размер элементов для Hyper-NA пока не указан, предполагается, что шаг металлизации может варьироваться от 16 нм на узлах A3 до 10 нм на узлах менее A2.

    Разработка Hyper-NA требует улучшения системы освещения и более мощных источников света, чтобы компенсировать более высокие углы зеркал, используемых для 0,75 NA, и увеличить пропускную способность. ASML уже использует модульную конструкцию в своих текущих моделях, что позволяет снизить затраты на разработку новых инструментов. В будущем компания планирует ещё больше акцентировать внимание на модульном дизайне, создавая инструменты с общими компонентами для Low-NA, High-NA и Hyper-NA.

    По информации https://hightech.plus/2024/05/29/asml-obnovila-rekord-plotnosti-tranzistorov

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100