Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

19.01.2023
16:07

В MIT разработали «идеальный полупроводник» толщиной в один атом

    Инженеры научились выращивать монолитные кристаллы толщиной в один атом на кремниевых пластинах. Исследование опубликовано в журнале Nature.

    Инженеры из Массачусетского технологического института разработали метод создания «идеальных» двумерных полупроводниковых кристаллов толщиной в один атом на кремниевой подложке. Технология поможет преодолеть ограничения закона Мура и создавать крошечные транзисторы и чипы.

    Для создания полупроводников исследователи используют метод осаждения из газовой фазы. Во время этого процесса атомы оседают на пластине кремния и превращаются в 2D-структуры. Это распространенный способ выращивания кристаллов и производства тонких полупроводников. Его недостаток в том, что в обычных условиях каждое «ядро» кристалла растет в случайных направлениях.

    Инженеры нашли способ преодолеть это ограничение. Для этого кремниевую пластину покрыли специальной «маской»: исследователи сформировали из диоксида кремния крошечные карманы, каждый из которых предназначен для улавливания зародыша будущего кристалла. Затем они пропускали газ из атомов, которые оседали в каждом кармане, образуя монокристаллический двумерный материал. Авторы называют такой кристалл идеальным, поскольку его монолитная структура не содержит препятствий, ограничивающих движение электронов.

    С помощью этого метода инженеры разработали многослойное полупроводниковое устройство. После покрытия кремниевой пластины узорчатой маской они вырастили сначала один тип 2D-материала, чтобы заполнить половину каждого квадрата, а затем нарастили сверху второй тип, чтобы заполнить остальную часть квадрата. В результате на каждом участке кремниевой пластины образовалась двухслойная ультратонкая пленка.

    Транзисторы — основной элемент современных компьютеров, в настоящее время формируются на кремниевых кристаллах. Согласно закону Мура, начиная с 1960-х годов количество транзисторов на микрочипе удваивалось каждый год. Ограничение состоит в том, что этот рост не может быть бесконечным, поскольку на наноуровне кремний утрачивает свои полупроводниковые свойства.

    Исследователи полагают, что использование двумерных монокристаллических структур из различных материалов поможет преодолеть это ограничение и разрабатывать высокопроизводительные электронные устройства следующего поколения на основе 2D-полупроводников.

    По информации https://hightech.fm/2023/01/19/single-crystal-chip

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100