Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

10.01.2022
17:37

Революционную компьютерную память ULTRARAM реализовали в кремнии — массовое производство уже не за горами

    Британские учёные сделали значительный шаг в сторону массового производства новой революционной компьютерной памяти, сочетающей свойства памяти оперативной и энергонезависимой. Новая память ULTRARAM работает так же быстро как чипы DRAM и может удерживать данные при отключенном питании как NAND. При этом число циклов стирания достигает десятков миллионов, что для NAND является недостижимой мечтой устойчивости к износу.

    Шагом к массовому производству ULTRARAM (патент защищён в США и представлен к рассмотрению в других странах) стал выпуск массивов ULTRARAM на кремниевых подложках, о чём сообщается в свежей статье в журнале Advanced Electronic Materials. Разработали ULTRARAM физики из Ланкастерского Университета (Великобритания), а выпустили на кремнии в лаборатории факультета физики Университета Уорика. Производство опытных образцов позволило подтвердить заявленные высокие характеристики памяти ULTRARAM, которая работает с производительностью оперативной памяти и сохраняет важнейшие качества энергонезависимой памяти.

    В частности, заявленное число циклов стирания/программирования достигает 10 млн. Данные в памяти могут храниться свыше 1000 лет. Скорость переключения для элементов размерами от 10 до 20 мкм меньше 10 мс при напряжении стирания 2,5 В, что представляется наилучшим результатом среди подобных структур с одиночной ячейкой. Быстро действие, в теории, обещает оказаться в пределах 10 нс. Подобная память может оказаться идеальной не только для компьютеров и смартфонов, но также для структур ИИ, имитирующих работу головного мозга человека. Вычисления будут проводиться прямо в памяти без пересылки данных в выделенные банки.

    Остаётся напомнить, что память ULTRARAM работает на основе квантово-механических явлений. Ячейки памяти хранят информацию в виде отдельных электронов или групп электронов (заряда), которые удерживаются там благодаря наличию запрещённой зоны (барьера) в полупроводнике. Небольшое управляющее напряжение позволяет делать такие барьеры прозрачными и снова их закрывать. Тем самым электроны могут туннелировать из ячейки или возвращаться в неё, обеспечивая запись 0 или 1.

    По информации https://3dnews.ru/1057510/revolyutsionnuyu-kompyuternuyu-pamyat-ultraram-vipustili-na-kremnii-chto-priblizilo-massovoe-proizvodstvo-novinki?ext=subscribe&source=subscribeRu

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100