[ ENGLISH ][AUTO] [KOI-8R][WINDOWS] [DOS][ISO-8859]



  Толстый интернет-журнал
"Русский переплет"
 

Статьи соросовского образовательного журнала

Научный форум


Soros Education Journal
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ

СОЖ Физика Полупроводники

Автор:БЕЛЯВСКИЙ В.И.

Владимир Ильич Белявский, физик-теоретик, доктор физико-математических наук, профессор, зав. кафедрой общей физики Воронежского государственного педагогического университета. Область научных интересов: физика полупроводниковых низкоразмерных систем, теория дислокаций в полупроводниках, оптика полупроводников и естественных сверхрешеток, теория внутреннего трения в твердых телах и физика аморфных металлических сплавов. Автор более 100 научных публикаций.

Год:1998

Номер:10

Кратко рассмотрены два основных способа получения полупроводниковых гетероструктур: метод молекулярно-лучевой эпитаксии и метод осаждения пленок из металлоорганических соединений. Изложены общие представления о физических явлениях, определяющих процесс роста гетероструктуры и качество гетерограниц.

Текст статьи в формате PDF


Для чтения статьи скачайте программу просмотра.

Русский переплет



Aport Ranker

Copyright (c) "Русский переплет"